[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201510459873.3 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN105405460B | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 金度鸿 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,包括:
控制信号发生单元,被配置以根据模式控制信号和刷新信号而产生控制信号;
第一感测放大器驱动电压发生单元,被配置以:根据控制信号、第一感测放大器使能信号和开关控制信号而产生第一感测放大器驱动电压;
开关控制单元,被配置以根据控制信号和第二感测放大器使能信号而产生开关控制信号;
第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以根据第二感测放大器使能信号而产生第二感测放大器驱动电压;以及
开关单元,被配置以根据开关控制信号而电耦接或电去耦接第一感测放大器驱动电压发生单元的输出节点与第二感测放大器驱动电压发生单元的输出节点。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,如果在模式控制信号被使能的状态中刷新信号被使能,则控制信号发生单元使能控制信号,而在电压施加使能信号被禁止时,控制信号发生单元禁止控制信号。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置,其中,控制信号发生单元包括:
锁存部,被配置以在刷新信号被使能时锁存模式控制信号的电压电平并输出控制信号,而在输入禁止脉冲时禁止控制信号;以及
脉冲发生部,被配置以在电压施加使能信号被禁止时产生所述禁止脉冲。
4.根据权利要求2所述的半导体存储装置,
其中,当控制信号被禁止时,第一感测放大器驱动电压发生单元在第一感测放大器使能信号的使能时段期间产生第一感测放大器驱动电压,以及
其中,当控制信号被使能时,第一感测放大器驱动电压发生单元在比第一感测放大器使能信号的使能时段更长的时段期间产生第一感测放大器驱动电压。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中,第一感测放大器驱动电压发生单元包括:
使能延展信号发生部,被配置以响应于第一感测放大器使能信号而使能感测放大器使能延展信号,以及响应于开关控制信号而禁止感测放大器使能延展信号;
信号选择部,被配置以响应于控制信号而将第一感测放大器使能信号和感测放大器使能延展信号中的一个输出作为电压施加使能信号;以及
驱动电压施加部,被配置以在电压施加使能信号的使能时段期间产生第一感测放大器驱动电压。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中,使能延展信号发生部包括:
延迟部分,被配置以延迟开关控制信号,而产生延迟的开关控制信号;以及
锁存部,被配置以:在第一感测放大器使能信号被使能时使能感测放大器使能延展信号并保持使能状态,而在延迟的开关控制信号被使能时禁止感测放大器使能延展信号。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,在控制信号被使能的状态中第二感测放大器使能信号被使能时,开关控制单元产生被使能预定时间的开关控制信号。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中,开关单元在开关控制信号被使能时电耦接第一感测放大器驱动电压发生单元的输出节点与第二感测放大器驱动电压发生单元的输出节点,而在开关控制信号被禁止时电去耦接第一感测放大器驱动电压发生单元的输出节点与第二感测放大器驱动电压发生单元的输出节点。
9.一种半导体存储装置,包括:
电压发生块,被配置以:根据模式控制信号和刷新信号而在第一感测放大器使能信号的使能时段期间产生第一感测放大器驱动电压,或者在比第一感测放大器使能信号的使能时段更长的时段期间产生第一感测放大器驱动电压;
第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以在第二感测放大器使能信号的使能时段期间产生第二感测放大器驱动电压;以及
电源线控制块,被配置以:在第一感测放大器驱动电压在比第一感测放大器使能信号的使能时段更长的时段期间产生的情况下根据第二感测放大器使能信号而电耦接或电去耦接第一感测放大器的电源线与第二感测放大器的电源线。
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