[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201510459873.3 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN105405460B | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 金度鸿 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
一种半导体存储装置,包括:控制信号发生单元,被配置以根据模式控制信号和刷新信号而产生控制信号;第一感测放大器驱动电压发生单元,被配置以根据控制信号、第一感测放大器使能信号和开关控制信号而产生第一感测放大器驱动电压;开关控制单元,被配置以根据控制信号和第二感测放大器使能信号而产生开关控制信号;第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以根据第二感测放大器使能信号而产生第二感测放大器驱动电压;以及开关单元,被配置以根据开关控制信号而电耦接或电去耦接第一感测放大器驱动电压发生单元的输出节点与第二感测放大器驱动电压发生单元的输出节点。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年9月5日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0118864的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
各种实施例总体而言涉及一种半导体集成电路,更具体地,涉及一种半导体存储装置。
背景技术
半导体存储装置被配置以储存数据以及将储存的数据输出。根据储存数据的方案,半导体存储装置划分为易失性半导体存储装置和非易失性半导体存储装置。
易失性半导体存储装置和非易失性半导体存储装置可以根据是否执行用来保持储存的数据的刷新操作来划分。
易失性半导体存储装置应当伴有刷新操作以保持储存的数据。在这方面,已经持续进行了研究以降低刷新操作的电流消耗。
发明内容
在一个实施例中,半导体存储装置可以包括:控制信号发生单元,被配置以根据模式控制信号和刷新信号而产生控制信号。半导体存储装置还可以包括:第一感测放大器驱动电压发生单元,被配置以根据控制信号、第一感测放大器使能信号和开关控制信号而产生第一感测放大器驱动电压。半导体存储装置还可以包括:开关控制单元,被配置以根据控制信号和第二感测放大器使能信号而产生开关控制信号。而且,半导体存储装置还可以包括:第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以根据第二感测放大器使能信号而产生第二感测放大器驱动电压。半导体存储装置还可以包括:开关单元,被配置以根据开关控制信号而电耦接或电去耦接第一感测放大器驱动电压发生单元的输出与第二感测放大器驱动电压发生单元的输出。
在一个实施例中,半导体存储装置可以包括:电压发生块,被配置以根据模式控制信号和刷新信号而在第一感测放大器使能信号的使能时段期间产生第一感测放大器驱动电压或在比第一感测放大器使能信号的使能时段更长的时段期间产生第一感测放大器驱动电压。半导体存储装置还可以包括:第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以在第二感测放大器使能信号的使能时段期间产生第二感测放大器驱动电压。而且,半导体装置可以包括:电源线控制块,被配置以当第一感测放大器驱动电压在比第一感测放大器使能信号的使能时段更长的时段期间产生时根据第二感测放大器使能信号而电耦接或电去耦接第一感测放大器的电源线与第二感测放大器的电源线。
在一个实施例中,半导体存储装置可以包括:控制信号发生单元,被配置以在刷新信号和模式控制信号被使能时使能控制信号,以及在电压施加使能信号被禁止时禁止控制信号。半导体存储装置还可以包括:第一感测放大器驱动电压发生单元,被配置以在控制信号被使能时产生第一感测放大器驱动电压,以及在控制信号被禁止时产生第一感测放大器驱动电压。而且,半导体存储装置可以包括:开关控制单元,被配置以在控制信号和第二感测放大器使能信号被使能时产生开关控制信号。半导体存储装置还可以包括:第二感测放大器驱动电压发生单元,被配置以在第二感测放大器使能信号被使能时产生第二感测放大器驱动电压。此外,半导体存储装置可以包括:开关单元,被配置以根据开关控制信号而将用于第一感测放大器的电源线与用于第二感测放大器的电源线电耦接。
附图说明
图1是图示根据一个实施例的半导体存储装置的例示的配置图。
图2是图示图1中示出的控制信号发生单元的例示的配置图。
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