[发明专利]具有校正温度漂移的集成电路芯片

权利要求书

1.一种集成电路芯片，包括：

多个沟槽，至少部分地环绕所述集成电路芯片的关键部分的周界；

其中所述沟槽局部地彼此断开；

一个或多个电连接，经过所述集成电路芯片中所述沟槽局部地彼此断开的部分，所述电连接在所述关键部分和所述集成电路芯片的外部部分之间延伸；

一个或多个加热电阻器，放置在所述关键部分中，并且被配置为改变所述关键部分的温度；

电路，包括位于所述集成电路芯片的所述外部部分中的第一电路部分和位于所述集成电路芯片的所述关键部分中的第二电路部分，所述第二电路部分包括对温度变化敏感的电路装置；以及

温度传感器，放置在所述关键部分中。

2.根据权利要求1所述的芯片，其中所述温度传感器是P-N结二极管。

3.根据权利要求1所述的芯片，其中所述加热电阻器是扩散电阻器。

4.根据权利要求1所述的芯片，其中所述多个沟槽包括环绕所述关键部分的沟槽的双网络，沟槽的所述双网络的沟槽被形成为限定将所述集成电路芯片的所述关键部分连接至所述集成电路芯片的所述外部部分的臂。

5.根据权利要求1所述的芯片，包括：半导体层，被下方支持层支持但与所述下方支持层绝缘，其中所述沟槽延伸到完全穿过所述半导体层的厚度的深度。

6.根据权利要求5所述的芯片，其中所述关键部分的底部与所述下方支持层绝缘。

7.根据权利要求1所述的芯片，还包括：盖层，安装至所述集成电路芯片的所述外部部分并且在所述关键部分之上延伸但与所述关键部分绝缘。

8.根据权利要求1所述的芯片，其中所述电路包括：放大器。

9.根据权利要求8所述的芯片，其中对温度变化敏感的所述电路装置影响所述放大器的偏移电压。

10.根据权利要求8所述的芯片，其中包括对温度变化敏感的所述电路装置的所述第二电路部分包括所述放大器的输入级。

11.一种形成集成电路芯片的方法，包括：

限定所述集成电路芯片的关键部分；

提供至少部分地环绕所述关键部分的周界的多个绝缘沟槽；

在所述关键部分内放置对温度变化敏感的电路装置；

在所述关键部分内放置温度传感器；

在所述关键部分内放置加热电阻器，所述加热电阻器被配置为改变所述关键部分的温度；以及

集成用于所述集成电路芯片的放大器电路，所述放大器电路包含形成在所述集成电路芯片的外部部分中的第一电路部分以及包括位于所述关键部分中的对温度变化敏感的所述电路装置的第二电路部分。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

致动所述加热电阻器以使所述关键部分经历温度变化；

响应于所述温度变化监控所述温度传感器，以在各个温度处测试所述集成电路芯片；以及

调整对温度变化敏感的所述电路装置。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述温度传感器是P-N结二极管。

14.根据权利要求11所述的方法，其中提供所述多个沟槽包括：形成环绕所述关键部分的沟槽的双网络，沟槽的所述双网络的沟槽被形成为限定将所述集成电路芯片的所述关键部分连接至所述集成电路芯片的外部部分的臂。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括：形成经过所述集成电路芯片中沟槽局部地彼此断开的部分的电连接，所述电连接在所述关键部分和所述集成电路芯片的外部部分之间延伸。