[发明专利]具有校正温度漂移的集成电路芯片

说明书

本发明涉及具有校正温度漂移的集成电路芯片，其中集成电路芯片包括沟槽，沟槽至少部分地环绕电路的对温度变化敏感的关键部分。沟槽局部中断以允许电路连接经过关键部分和包含电路的剩余部分的外部之间。关键部分包括加热电阻器和温度传感器。

优先权

本申请要求2014年8月13日提交的法国专利申请第1457792号的优先权，其全部内容以引用的方式在法律允许的最大范围上引入本申请。

技术领域

本发明涉及包含集成电路的芯片，其具有能够随温度改变的一种或多种特性。

背景技术

特定的集成电路(例如运算放大器或参考电压发生器)在它们的一些参数没有被精确调整的情况下能够在其操作期间发生温度漂移。即使计算这些电路的参数以避免这种漂移，但制造波动的技术导致在相同晶圆上制造的各种电路或者在不同晶圆上制造的电路将显示出技术差异，使得所制造的电路发生温度漂移。

如果该电路的参数没有被精确调整，则能够发生温度漂移的集成电路的示例性特性是运算放大器的反相输入和非反相输入之间的偏移电压。

因此，为了能够提供温度不漂移的集成电路，制造者必须对每个制造的电路执行晶圆测试并调整电路的参数，使得它们的温度不漂移。这种调整例如通过在集成电路中提供电阻器网络(其中元件通过激光修整而断开)来执行。

更具体地，在运算放大器的偏移电压的情况下，在多个温度(目前为两个温度)处执行四点探针测量，并且根据这些测量值来确定调整上述阻抗网络的阻抗的方式。作为示例，在2008年10月标题为MT-037 TUTORIAL的ANALOG DEVICES文档中描述了用于根据在各个温度处执行的测量调整偏移电压的方法(其全部内容以引用的方式引入本申请)。

如已经提到的，这要求在两个不同的温度处执行测量。为此，晶圆被放置在加热支持件上。支持件首先被保持为室温，然后被加热以达到高温(例如，100℃)。在这些温度的每个温度处，执行四点探针测量，然后可以实施先前描述的激光调整方法。

这种方法的难度在于使晶圆具有两个不同的温度。实际上，通过将支持件从第一稳定温度加热到第二稳定温度花费几分钟的时间。与总的芯片制造时间相比，这种持续时间不能被忽略并且对晶圆的总制造成本产生显著的影响。

因此，需要减少测试时间。

发明内容

因此，实施例提供了一种集成电路芯片，包括：沟槽，环绕电路中使其对温度变化敏感的关键部分，这种沟槽横跨芯片并且局部断开以在电路的所述部分和剩余部分之间使连接通过；以及加热电阻器和温度传感器，放置在所述电路部分中。

根据一个实施例，温度传感器是P-N结二极管。

根据一个实施例，加热电阻器是扩散电阻器。

根据一个实施例，关键部分被沟槽的双网络环绕，沟槽被形成为限定将电路的关键部分连接至芯片的剩余部分的臂。

一个实施例提供了一种形成集成电路芯片的方法，该集成电路包括能够使其对温度变化敏感的关键部分，该方法包括以下步骤：识别集成电路的关键部分；在被沟槽环绕的绝缘部分中集中关键部分的元件；在绝缘部分中配置加热电阻器和温度传感器；在各个温度处测试芯片；以及调整芯片的关键部分的元件。

根据一个实施例，该方法还包括以下步骤：经由在芯片的关键部分的位置处中断的绝缘层，在支持件上组装包含芯片的晶圆；以及用盖覆盖芯片，其中中介绝缘层在芯片的关键部分上方中断。

附图说明

结合附图在以下具体实施例的非限制描述中详细讨论前述和其他特征和优势。

图1A是包括温度校正集成电路的芯片的实施例的顶视图；