[发明专利]一种晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体晶圆清洗工艺领域，涉及一种晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法。

背景技术

在随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路晶圆制造工艺中所要求的晶圆表面的洁净度越来越苛刻，为了保证晶圆材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工序，清洗工序占了整个制造过程的20％。

传统对晶圆表面清洗采用产出比较高的槽式清洗设备，清洗设备的主要清洗步骤一般先进行化学液清洗浸泡，然后进行清水洗净工序。晶圆在化学液清洗浸泡后，晶圆表面依旧会残留一些副产物和化学液，所以后续的清水洗净工艺尤为重要，若清洗不干净会在晶圆表面产生如化学液残留或晶圆表面存在颗粒物之类的缺陷。

在现有的槽式清洗设备中，支撑件是清洗槽中用于支撑晶圆的部件，但在长期使用过程中，支撑件与晶圆之间的接触处往往会形成清洁死角，如图1所示，图1为现有晶圆支撑件的结构示意图，晶圆3被支撑件2支撑同时放置于盛有清洗液的清洗槽1中,由于支撑件2与晶圆3之间往往会形成清洁死角，通常会在支撑件2上残留一些污垢，而残留在支撑件2上的污垢往往会重新污染晶圆3，造成晶圆缺陷，导致晶圆良率的降低。因此，本领域技术人员亟待解决现有晶圆支撑件存在清洁死角的问题，提高晶圆的洁净度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法，解决现有晶圆支撑件存在清洁死角的问题，提高晶圆的洁净度。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种晶圆支撑件的清洗装置，包括用于清洗半导体晶圆的清洗槽，

第一组晶圆支撑件，设于所述清洗槽内，并可在所述清洗槽中做垂直方向的伸缩运动，所述第一组晶圆支撑件处于伸出状态时，其用于支撑晶圆，所述第一组晶圆支撑件收缩状态时，其与所述清洗槽内的清洗液充分接触，以去除其表面污垢；

第二组晶圆支撑件，设于所述清洗槽内，并可在所述清洗槽中做垂直方向的伸缩运动，所述第二组晶圆支撑件处于伸出状态时，其用于支撑晶圆，所述第二组晶圆支撑件收缩状态时，其与所述清洗槽内的清洗液充分接触，以去除其表面污垢；

其中，交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，当第一组晶圆支撑件处于伸出状态时，则第二组晶圆支撑件处于收缩状态，或当第一组晶圆支撑件处于收缩状态时，则第二组晶圆支撑件处于伸出状态。

优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件均包括多个用于支撑晶圆的支撑件。

优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件的数量相等。

优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件均匀的分布在晶圆的边缘。

优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件相互间隔的分布晶圆的边缘。

优选的，所述清洗槽内设有清洗喷头，所述清洗喷头用于向所述第一组晶圆支撑件或第二组晶圆支撑件喷射清洗液。

优选的，所述清洗喷头上设有阀门用于调节清洗液的流量。

本发明还提供一种晶圆支撑件的清洗方法，包括以下步骤：

S01、在第一组晶圆清洗作业过程中，第一组晶圆支撑件伸出并支撑晶圆，第二组晶圆支撑件收缩并与清洗液充分接触，以去除第二组晶圆支撑件上的污垢；

S02、在第二组晶圆清洗作业过程中，第二组晶圆支撑件伸出并支撑晶圆，第一组晶圆支撑件收缩并与清洗液充分接触，以去除第一组晶圆支撑件上的污垢；

S03、在后续晶圆清洗作业过程中，交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，直至完成后续晶圆清洗作业。

优选的，所述第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件与清洗液充分接触后，并通过超纯水将其表面的清洗液去除。

与现有的方案相比，本发明提供的晶圆支撑件的清洗装置及清洗方法，通过交替使用第一组晶圆支撑件以及第二组晶圆支撑件，当其中的一组晶圆支撑件处于支撑晶圆状态时，另一组晶圆支撑件则与清洗液充分接触，使晶圆支撑件始终保持良好的清洁度，避免晶圆支撑件上的污垢污染晶圆，降低了晶圆缺陷，提高了晶圆的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有晶圆支撑件的结构示意图；

图2本发明第一组晶圆支撑件的使用状态的结构示意图；