[发明专利]COA阵列基板及液晶面板

权利要求书

1.一种COA阵列基板，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)正面的TFT(T)、覆盖所述TFT(T)的钝化保护层(6)、设于所述钝化保护层(6)上的像素电极(7)、正对所述TFT(T)设于所述基板(1)背面的黑色矩阵(8)、以及覆盖所述黑色矩阵(8)与基板(1)背面的色阻层(9)；

所述像素电极(7)经由贯穿所述钝化保护层(6)的过孔(61)接触所述TFT(T)。

2.如权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于，所述TFT(T)包括设于所述基板(1)正面的栅极(2)、覆盖所述栅极(2)与基板(1)正面的栅极绝缘层(3)、于所述栅极(2)上方设于栅极绝缘层(3)上的半导体层(4)、以及设于所述栅极绝缘层(3)上分别接触半导体层(4)两侧的源极(51)与漏极(52)；

所述钝化保护层(6)覆盖所述源极(51)、漏极(52)、半导体层(4)、与栅极绝缘层(3)；所述像素电极(7)经由贯穿所述钝化保护层(6)的过孔(61)接触所述TFT(T)的漏极(52)。

3.如权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于，所述黑色矩阵(8)的材料为亚克力黑色光阻。

4.如权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于，所述色阻层(9)至少包括红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻。

5.如权利要求1所述的COA阵列基板，其特征在于，所述基板(1)为玻璃基板。

6.如权利要求2所述的COA阵列基板，其特征在于，所述栅极(2)、源极(51)、与漏极(52)的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。

7.如权利要求2所述的COA阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(3)与钝化保护层(6)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。

8.如权利要求2所述的COA阵列基板，其特征在于，所述像素电极(7)的材料为ITO。

9.如权利要求2所述的COA阵列基板，其特征在于，所述半导体层(4)的材料为非晶硅半导体、低温多晶硅半导体、金属氧化物半导体中的一种。

10.一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板及设置在所述阵列基板与彩膜基板间的液晶层，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-9中任意一项所述的COA阵列基板。