[发明专利]COA阵列基板及液晶面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种COA阵列基板及液晶面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlight module)。通常液晶面板由彩膜基板(Color Filter，CF)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片基板上施加驱动电压，由两片基板之间产生的电场来控制液晶层内液晶分子的取向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常，传统的液晶面板在彩膜基板一侧制备有黑色矩阵(Black Matrix，BM)、包含红、绿、蓝色阻的色阻层、及公共电极等，在阵列基板一侧制备TFT、像素电极等。这种传统的液晶面板受阵列基板和彩膜基板对位精度的限制，像素的开口率受到影响。

为了解决阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，可将色阻层集成制作于阵列基板一侧，即采用COA(Color Filter On Array)技术。

现有的主流COA阵列基板一般是将黑色矩阵和色阻层制备于像素电极下面，其具体结构如图1所示，包括基板100、设于基板100正面的色阻层700和黑色矩阵800、设于所述黑色矩阵800上的钝化保护层900、及设于钝化保护层900上的像素电极1000。所述像素电极1000通过贯穿所述钝化保护层900、黑色矩阵800、与色阻层700的过孔987接触TFT的漏极。

由于黑色矩阵800、与色阻层700的厚度相比其它膜层的厚度较大，制作贯穿所述钝化保护层900、黑色矩阵800、与色阻层700的过孔987较困难，所述过孔987的大小不易精准控制，且过孔987底部与顶部的高度差较大，容易造成过孔987对应区域的配向不良，容易产生漏光。

发明内容

本发明的目的在于提供一种COA阵列基板，既能够解决传统的阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，又易于制作，避免漏光。

本发明的目的还在于提供一种液晶面板，开口率高，易于制作。

为实现上述目的，本发明提供一种COA阵列基板，包括：基板、设于所述基板正面的TFT、覆盖所述TFT的钝化保护层、设于所述钝化保护层上的像素电极、正对所述TFT设于所述基板背面的黑色矩阵、以及覆盖所述黑色矩阵与基板背面的色阻层；

所述像素电极经由贯穿所述钝化保护层的过孔接触所述TFT。

所述TFT包括设于所述基板正面的栅极、覆盖所述栅极与基板正面的栅极绝缘层、于所述栅极上方设于栅极绝缘层上的半导体层、以及设于所述栅极绝缘层上分别接触半导体层两侧的源极与漏极；

所述钝化保护层覆盖所述源极、漏极、半导体层、与栅极绝缘层；所述像素电极经由贯穿所述钝化保护层的过孔接触所述TFT的漏极。

所述黑色矩阵的材料为亚克力黑色光阻。

所述色阻层至少包括红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻。

所述基板为玻璃基板。

所述栅极、源极、与漏极的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。

所述栅极绝缘层与钝化保护层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。

所述像素电极的材料为ITO。

所述半导体层的材料为非晶硅半导体、低温多晶硅半导体、金属氧化物半导体中的一种。

本发明还提供一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板及设置在所述阵列基板与彩膜基板间的液晶层，所述阵列基板为上述COA阵列基板。

本发明的有益效果：本发明提供的一种COA阵列基板及液晶面板，将黑色矩阵与色阻层设置于基板背面，将TFT、钝化保护层与像素电极设置于基板正面，像素电极通过贯穿所述钝化保护层的过孔接触所述TFT，相比于现有技术，既能够解决传统的阵列基板和彩膜基板对位要求高的问题，提高开口率，又无需在黑色矩阵与色阻层开孔即可实现像素电极与TFT的漏极的连接，易于制作，避免漏光。