[发明专利]承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法在审
申请号: | 201510460889.6 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN105140167A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 林致远;黄寅虎 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 湿法 刻蚀 设备 及其 使用方法 | ||
1.一种承载装置,其特征在于,用于在湿法刻蚀过程中承载待处理基板,所述承载装置包括:
承载主体,设置于所述待处理基板的下方,用于承载所述待处理基板,且使得所述待处理基板呈倾斜放置;
加热单元,设置于所述待处理基板的下方,用于对所述待处理基板进行加热,以使得所述待处理基板上沿倾斜方向由顶部至底部所对应的温度逐渐升高。
2.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述加热单元包括:若干个热光源,所述热光源产生的光线射向所述待处理基板的背面。
3.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,每个热光源与所述待处理基板之间的距离相等,每个所述热光源的输出功率相同,所述待处理基板的顶部在所述加热单元上的投影为第一位置,所述待处理基板的底部在所述加热单元上的投影为第二位置;
所述加热单元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向,所设置的热光源的密度逐渐增大。
4.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,每个热光源与所述待处理基板之间的距离相等,全部所述热光源均匀分布,所述待处理基板的顶部在所述加热单元上的投影为第一位置,所述待处理基板的底部在所述加热单元上的投影为第二位置;
所述加热单元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向,所设置的热光源的输出功率逐渐增大。
5.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,每个所述热光源的输出功率相等,全部所述热光源均匀分布,所述待处理基板的顶部在所述加热单元上的投影为第一位置,所述待处理基板的底部在所述加热单元上的投影为第二位置;
所述加热单元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向,各热光源与所述待处理基板之间的距离逐渐减小。
6.根据权利要求2中所述的承载装置,其特征在于,所述热光源产生的光线垂直射向所述待处理基板的背面。
7.根据权利要求2中所述的承载装置,其特征在于,所述热光源为LED灯。
8.根据权利要求1-7中任一所述承载装置,其特征在于,所述承载主体包括:若干个滚轮,全部所述滚轮的滚轴均平行且处于同一倾斜平面。
9.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:如上述权利要求1-8中任一所述的承载装置。
10.一种湿法刻蚀设备的使用方法,其特征在于,所述湿法刻蚀设备采用权利要求9所述的湿法刻蚀设备,所述使用方法包括:
将所述待处理基板倾斜放置于所述承载主体上;
利用加热单元对所述待处理基板进行加热,以使得所述待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高;
将刻蚀液喷洒在所述待处理基板的正面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造