[发明专利]承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法。

背景技术

现有的湿法刻蚀设备，为了改善大面积待处理基板的湿刻均匀度，通常将待处理基板呈现倾斜放置，以使刻蚀液在待处理基板上能够在重力作用下沿待处理基板的表面流动，从而保持良好的液体交换率，以避免刻蚀液在待处理基板表面的停滞造成刻蚀速率不均一的问题。

然而，在实际操作中发现，在待处理基板上处于较低位置的区域，原本喷洒的刻蚀液以及由高处流下的刻蚀液二者汇集，从而使得待处理基板上处于较低位置的区域会有刻蚀液堆积的现象，造成该处刻蚀液流动交换效率较低，(刻蚀液流动交换效率与刻蚀速率成正比)从而使得较底位置处的刻蚀速率较慢。与此同时，在待处理基板上处于较高位置的区域，由于不存在刻蚀液堆积的现象，因此在较高位置处的刻蚀速率正常。

由上述内容可见，现有技术中的这种倾斜式湿法刻蚀仍存在刻蚀速率不均一的问题。

发明内容

本发明提供一种承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法，可有效的提升倾斜式湿法刻蚀过程中刻蚀速率的均一性。

为实现上述目的，本发明提供了一种承载装置，用于在湿法刻蚀过程中承载待处理基板，所述承载装置包括：

承载主体，设置于所述待处理基板的下方，用于承载所述待处理基板，且使得所述待处理基板呈倾斜放置；

加热单元，设置于所述待处理基板的下方，用于对所述待处理基板进行加热，以使得所述待处理基板上沿倾斜方向由顶部至底部所对应的温度逐渐升高。

可选地，所述加热单元包括：若干个热光源，所述热光源产生的光线射向所述待处理基板的背面。

可选地，每个热光源与所述待处理基板之间的距离相等，每个所述热光源的输出功率相同，所述待处理基板的顶部在所述加热单元上的投影为第一位置，所述待处理基板的底部在所述加热单元上的投影为第二位置；

所述加热单元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向，所设置的热光源的密度逐渐增大。

可选地，每个热光源与所述待处理基板之间的距离相等，全部所述热光源均匀分布，所述待处理基板的顶部在所述加热单元上的投影为第一位置，所述待处理基板的底部在所述加热单元上的投影为第二位置；

所述加热单元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向，所设置的热光源的输出功率逐渐增大。

可选地，每个所述热光源的输出功率相等，全部所述热光源均匀分布，所述待处理基板的顶部在所述加热单元上的投影为第一位置，所述待处理基板的底部在所述加热单元上的投影为第二位置；

所述加热单元中沿由所述第一位置至所述第二位置的方向，各热光源与所述待处理基板之间的距离逐渐减小。

可选地，所述热光源产生的光线垂直射向所述待处理基板的背面。

可选地，所述热光源为LED灯。

可选地，所述承载主体包括：若干个滚轮，全部所述滚轮的滚轴均平行且处于同一倾斜平面。

为实现上述目的，本发明还提供了一种湿法刻蚀设备，包括：承载装置，该承载装置采用上述的承载装置。

为实现上述目的，本发明还提供了一种湿法刻蚀设备的使用方法，其中，所述湿法刻蚀设备采用上述的湿法刻蚀设备，所述使用方法包括：

将所述待处理基板倾斜放置于所述承载主体上；

利用加热单元对所述待处理基板进行加热，以使得所述待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高；

将刻蚀液喷洒在所述待处理基板的正面。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供了一种承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法，其中，该承载装置用于在湿法刻蚀过程中承载待处理基板，该承载装置包括：承载主体和加热单元，加热单元用于对待处理基板进行加热，以使得待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高，从而可提高位于待处理基板底部的刻蚀液的刻蚀速率，解决了位于待处理基板底部的刻蚀液因流动交换效率较低而造成刻蚀速率偏低的问题，进而提升了倾斜式湿法刻蚀过程中刻蚀速率的均一性。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种承载装置的示意图；

图2为本发明实施例一中加热单元的一种结构示意图；

图3为本发明实施例一中加热单元的又一种结构示意图；

图4为本发明实施例一中加热单元的另一种结构示意图；

图5为本发明实施例三提供的一种湿法刻蚀设备的使用方法的流程图。

具体实施方式