[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，其特征在于，

所述源极包括与所述有源层接触的第一源极，位于所述第一源极上的第二源极；

所述漏极包括与所述有源层接触的第一漏极，位于所述第一漏极上的第二漏极；

其中，所述第一源极和所述第一漏极的材料为导电聚合物；所述第二源极和所述第二漏极的材料为金属。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电聚合物为聚乙炔，或为聚噻吩，或为聚吡咯，或为聚苯胺。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属为铜、钼、铝、钕的单层金属，或为由铜、钼、铝、钕组成的复合金属。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述第二源极和所述第二漏极上的钝化层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层的材料为氧化硅层，或为氮化硅层，或为氧化硅和氮化硅的复合层。

6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-5任一权利要求所述的薄膜晶体管。

7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求6所述的阵列基板。

8.一种薄膜晶体管的制作方法，包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极的方法，其特征在于，所述源极包括与所述有源层接触的第一源极，位于所述第一源极上的第二源极；所述漏极包括与所述有源层接触的第一漏极，位于所述第一漏极上的第二漏极；

所述制作源极和漏极的方法包括：

在所述有源层上依次沉积导电聚合物层和金属层；

对所述金属层采用构图工艺形成所述第二源极和所述第二漏极，对所述导电聚合物层采用构图工艺形成所述第一源极和所述第一漏极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对所述金属层采用构图工艺形成第二源极和第二漏极，对所述导电聚合物层采用构图工艺形成第一源极和第一漏极，具体包括：

在所述金属层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，保留需要形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极位置处的光刻胶；

通过第一次刻蚀去除暴露出的金属层；

通过第二次刻蚀去除暴露出的导电聚合物层，所述第一次刻蚀为湿法刻蚀，所述第二次刻蚀为干法刻蚀；

去除剩余的光刻胶，形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在形成有第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极的衬底基板上通过构图工艺制作钝化层。