[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

随着半导体显示技术的不断发展，高刷新频率、高解析度(PixelPerInch，PPI)、阵列基板行驱动电路(GateDriverOnArray，GOA)等技术层出不穷。这些技术对薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)性能，特别是有源层的迁移率要求越来越高。

氧化物有源层具有较高的迁移率，氧化物TFT的载流子迁移率高达10cm²/Vs，是非晶硅TFT的10倍左右，因此氧化物TFT是目前显示技术领域研究的热点。但是，在源极和漏极刻蚀过程中，氧化物有源层容易被刻蚀液侵蚀而损坏，现有技术为了解决这一问题，通常在氧化物TFT中设置刻蚀阻挡层结构。

具体地，如图1所示，首先，在衬底基板10上沉积一层金属薄膜，通过构图工艺制作栅极11，在栅极11上制作栅极绝缘层12，在栅极绝缘层12上通过构图工艺制作氧化物有源层13，氧化物有源层13的材料为铟镓锌氧化物(IGZO)，在氧化物有源层13上通过构图工艺制作刻蚀阻挡层14，在刻蚀阻挡层14上通过构图工艺制作源极15和漏极16，源极15通过贯穿刻蚀阻挡层14的过孔与氧化物有源层13连接，漏极16通过贯穿刻蚀阻挡层14的过孔与氧化物有源层13连接。其中，上面描述的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影，刻蚀以及去除光刻胶的部分或全部过程。

综上所述，现有技术刻蚀阻挡层虽然能够阻挡刻蚀液对氧化物有源层的侵蚀，但需要增加一道掩膜板，工艺复杂；同时贯穿刻蚀阻挡层过孔的设置增大了TFT的面积，使得TFT很难做小，由于TFT所占的面积较大，降低了像素的开口率。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以减少一道掩膜板，节省产能，提高像素的开口率。

本发明实施例提供的一种薄膜晶体管，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极；

所述源极包括与所述有源层接触的第一源极，位于所述第一源极上的第二源极；

所述漏极包括与所述有源层接触的第一漏极，位于所述第一漏极上的第二漏极；

其中，所述第一源极和所述第一漏极的材料为导电聚合物；所述第二源极和所述第二漏极的材料为金属。

由本发明实施例提供的阵列基板的薄膜晶体管，包括衬底基板，位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极；源极包括与有源层接触的第一源极，位于第一源极上的第二源极；漏极包括与有源层接触的第一漏极，位于第一漏极上的第二漏极；其中，第一源极和第一漏极的材料为导电聚合物；第二源极和第二漏极的材料为金属。与现有技术相比，本发明实施例中的薄膜晶体管不需要设置刻蚀阻挡层，能够减少一道掩膜板，节省产能；由于本发明实施例中的第一源极和第一漏极的材料为导电聚合物，与现有技术相比，不需要设置过孔，能够提高像素的开口率。

较佳地，所述导电聚合物为聚乙炔，或为聚噻吩，或为聚吡咯，或为聚苯胺。

较佳地，所述金属为铜、钼、铝、钕的单层金属，或为由铜、钼、铝、钕组成的复合金属。

较佳地，还包括位于所述第二源极和所述第二漏极上的钝化层。

较佳地，所述钝化层的材料为氧化硅层，或为氮化硅层，或为氧化硅和氮化硅的复合层。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上述的薄膜晶体管。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。

本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极的方法，其中，所述源极包括与所述有源层接触的第一源极，位于所述第一源极上的第二源极；所述漏极包括与所述有源层接触的第一漏极，位于所述第一漏极上的第二漏极；

所述制作源极和漏极的方法包括：

在所述有源层上依次沉积导电聚合物层和金属层；

对所述金属层采用构图工艺形成所述第二源极和所述第二漏极，对所述导电聚合物层采用构图工艺形成所述第一源极和所述第一漏极。

较佳地，所述对所述金属层采用构图工艺形成第二源极和第二漏极，对所述导电聚合物层采用构图工艺形成第一源极和第一漏极，具体包括：

在所述金属层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，保留需要形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极位置处的光刻胶；