[发明专利]衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，具有：

处理衬底的处理室；

衬底载置台，设置于所述处理室内，并载置所述衬底；

设置于所述衬底载置台内、且加热所述衬底的加热部；

气体整流部，设置于所述处理室的上部、且向所述衬底供给处理气体；

密封部，设置于所述气体整流部；

隔热部，设置于所述气体整流部内、所述密封部与所述气体整流部的上游侧表面之间，且构成为环状的槽形状、能够真空排气；

第一压力调整部，与所述隔热部连接，且将所述隔热部内调整为规定的第一压力；以及

控制部，所述控制部控制所述第一压力调整部。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，具有：

冷却所述密封部的冷却流路；和

向所述冷却流路供给冷却介质的冷却部，

所述控制部构成为：

以将所述上游侧表面维持在规定温度的方式控制所述第一压力调整部和所述冷却部。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

所述气体整流部具有构成为朝向所述衬底的外周侧而直径逐渐扩大，并供所述气体通过的气体通道，

所述上游侧表面设置在所述气体通道的上游侧的表面。

4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，

所述隔热部设置成包围所述气体通道的上游侧。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

在所述气体整流部的外周设置将所述处理室内的气氛排出的排气部，并在所述排气部的外周具有第二隔热部。

6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，

在所述第二隔热部上连接第二压力调整部，所述控制部构成为以将所述第二隔热部内维持在第二规定压力的方式控制所述第二压力调整部。

7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，

在所述第二隔热部与所述排气部之间设置第二加热部，

所述控制部构成为以所述第二隔热部维持在规定温度的方式控制第二加热部和所述第二压力调整部。

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

还包括向所述气体整流部供给气体的气体供给部，

所述控制部构成为：

以所述气体供给部向所述衬底依次供给处理气体和反应气体的方式控制所述气体供给部。

9.一种气体整流部，向载置于在内部设置有加热部的衬底载置台的衬底供给气体，所述气体整流部具有：

密封部，设置于所述气体整流部；

隔热部，设置于所述气体整流部内、所述密封部与所述气体整流部的上游侧表面之间，且构成为环状的槽形状、能够真空排气；

第一压力调整部，与所述隔热部连接，且将所述隔热部内调整为规定的第一压力；以及

控制部，所述控制部控制所述第一压力调整部。

10.根据权利要求9所述的气体整流部，具有：

冷却所述密封部的冷却流路；和

向所述冷却流路供给冷却介质的冷却部，

所述控制部构成为：

以将所述上游侧表面维持在规定温度的方式控制所述第一压力调整部和所述冷却部。

11.根据权利要求9所述的气体整流部，

具有构成为朝向所述衬底的外周侧而直径逐渐扩大，并供所述气体通过的气体通道，

所述上游侧表面设置在所述气体通道的上游侧。

12.根据权利要求11所述的气体整流部，

所述隔热部设置成包围所述气体通道的上游侧。

13.一种半导体器件的制造方法，具有：

加热载置于在内部设置有加热部的衬底载置台的衬底的工序；

经由气体整流部向所述衬底供给气体的工序；以及

将隔热部内的第一压力维持在规定压力的工序，其中，隔热部设置于所述气体整流部内、密封部与所述气体整流部的上游侧表面之间，且构成为环状的槽形状、能够真空排气。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，

具有冷却所述密封部的冷却流路，

具有将所述密封部冷却至规定温度的工序。