[发明专利]衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法。

背景技术

作为半导体器件(device)的制造工序的一个工序，有时进行如下处理工序，对衬底供给处理气体和反应气体，并在衬底上形成膜。

发明内容

发明要解决的问题

然而，有时衬底的温度分布变得不均匀，处理均匀性下降。

本发明在于提供一种使衬底的处理均匀性提高的技术。

用于解决问题的手段

根据一技术方案，提供一种技术，具有：

处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。

发明的效果

根据本公开的衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，至少能够使衬底的处理均匀性提高。

附图说明

图1是一实施方式的衬底处理装置的概略构成图。

图2是一实施方式的气体供给部的概略构成图。

图3是一实施方式的气体整流部的气体导入口的横剖视图。

图4是另一实施方式的密封部的横剖视图。

图5是一实施方式的衬底处理装置的控制器的概略构成图。

图6是一实施方式的衬底处理工序的流程图。

图7是一实施方式的第一隔热部内的压力控制时序图。

图8是一实施方式的衬底处理工序的气体供给·灯接通/断开时序图。

附图标记的说明

200 晶片(衬底)

201 处理室

202 处理容器

204 隔板

212 衬底载置台

213 加热器

221 排气口(第一排气部)

234 气体整流部

234a 上游侧表面

234b 下游侧表面

231 盖

250 远程等离子体单元(激发部)

具体实施方式

以下，说明本公开的实施方式。

<第一实施方式>

以下，参照附图说明第一实施方式。

(1)衬底处理装置的构成

首先，说明第一实施方式的衬底处理装置。

以下说明本实施方式的处理装置100。衬底处理装置100是形成绝缘膜或金属膜等的装置，如图1所示，作为单片式衬底处理装置而构成。

如图1所示，衬底处理装置100包括处理容器202。处理容器202构成作为例如横截面为圆形且扁平的密闭容器。另外，处理容器202例如由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英等构成。在处理容器202内形成有：处理作为衬底的硅晶片等晶片200的处理空间(处理室)201、搬送空间203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置了分隔板204。在上部容器202a与下部容器202b之间，设置有用于维持处理室201、搬送空间203内的压力的作为第二密封部的处理容器密封部260。另外，也可以设置用于抑制上部容器202a与下部容器202b直接接触、抑制处理容器密封部260的压坏的缓冲部261。处理容器密封部260和缓冲部261可使用耐热性比构成上部容器202a、下部容器202b的材料差的材料。例如可使用作为氟树脂的聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylen：PTFE)、以碳元素和氟元素为主成分的氟橡胶、以碳、氟、氧等为主成分的氟橡胶等材料。另外，也可以设置由金属材料构成的密封部件，所述金属材料包含铜(Cu)、不锈钢(SUS)、铝(Al)等金属元素中的任意种。另外，处理容器密封部260有时也称为O形环或垫片。由上部容器202a包围而成且位于分隔板204上方的空间称为处理室201或反应区域201，由下部容器202b包围而成且位于分隔板下方的空间称为搬送空间203。

在下部容器202b的侧面设置有与闸阀205相邻的衬底搬入出口206，晶片200经由衬底搬入出口206在与未图示的搬送室之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个提升销207。而且，下部容器202b成为接地电位。