[发明专利]一种热沉结构双载体LED驱动电路封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明属于电子器件制造半导体封装技术领域，涉及一种LED驱动电路封装件，具体涉及一种热沉结构双载体LED驱动电路封装件；本发明还涉及该封装件的制造方法。

背景技术

发光二极管（Light-Emitting Diode，简称LED）是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件，被称为第四代光源，具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。由于LED是特性敏感的半导体器件，又具有负温度特性，因而在应用过程中需要对其工作状态进行稳定和保护，故而产生了LED驱动电路的概念。LED是2～3伏的低电压驱动，不像普通的白炽灯泡，可以直接连接220V的交流市电，LED器件对驱动电源的要求近乎于苛刻，必须要设计复杂的变换电路。不同用途的LED灯，要配备不同的电源适配器。随着电子产品对高效节能、绿色电源的标准要求，以及高集成度驱动发展的需求，市场上对LED驱动电路电源的封装要求也非常高。采用IC电路与MOSEFT功率器件组合封装的MCP（多芯片封装，Multi Chip Packaging）成为LED驱动电路封装的发展趋势之一。

内置MOSFET器件的LED驱动电路通常采用单载体引线框架封装结构。当应用于高压条件下时，LED驱动电路中的MOSFET功率器件散发出的大量热量很难通过引线框架的传导有效散出。同时，由于高温高压的作用，IC芯片底部的绝缘胶很容易被击穿而发生漏电；另外，由于引线框架是单载体结构，载体表面的绝缘胶和导电胶很容易相互渗透，造成漏电。

发明内容

本发明的目的是提供一种热沉结构双载体LED驱动电路封装件，具有较好的散热性能，能有效解决MOSFET功率器件的散热问题。

本发明的另一个目的是提供一种上述封装件的制造方法。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种热沉结构双载体LED驱动电路封装件，包括粘贴于基岛上的MOSFET功率器件和IC控制芯片，IC控制芯片通过键合线分别与MOSFET功率器件和内引脚相连，MOSFET功率器件通过键合线与内引脚相连，内引脚与外引脚相连，基岛上塑封有封胶体，该封装件中的引线框架采用双基岛结构，该双基岛中的两个基岛为相互不接触的第一基岛和第二基岛，MOSFET功率器件通过导电胶膜粘接于第一基岛上，IC控制芯片通过绝缘胶膜粘接于第二基岛上，第一基岛背离MOSFET功率器件的底面位于封胶体外。

本发明所采用的另一个技术方案是：一种上述热沉结构双载体LED驱动电路封装件的制造方法，具体按以下步骤进行：

步骤1：采用晶圆背面涂覆工艺将绝缘胶涂覆于晶圆背面；然后将晶圆切割成单个的晶粒，得到IC控制芯片，再将IC控制芯片粘贴于第二基岛的上表面；

或者，采用晶圆背面涂覆工艺将绝缘胶涂覆于晶圆背面，将晶圆切割成单个的晶粒，得到IC控制芯片；然后，采用点胶工艺将绝缘浆料滴涂在第二基岛上表面，待绝缘浆料固化后再将背面涂覆了绝缘胶的IC控制芯片粘贴于第二基岛的上表面；

步骤2：将MOSFET功率器件粘贴于第一基岛的上表面；

步骤3：采用现有内置MOSFET器件的LED驱动电路的生产工艺进行压焊、塑封、固化和检测；塑封过程中，使第一基岛没有粘贴器件的底面位于封胶体外，制得热沉结构双载体LED驱动电路封装件。

塑封料的热导率在1.0W/m·℃上下，铜的热导率为397W/m·℃。本发明封装件中，铜合金引线框架的第二基岛下表面暴露在塑封体外直接与空气接触，可使 MOSFET功率器件的发出的大量热量快速散逸，可使散热率提高50％以上。同时，引线框架采用双基岛结构，解决了IC芯片底部的绝缘胶容易被击穿而发生漏电和单载体引线框架载体表面绝缘胶和导电胶容易相互渗透的问题。WBC工艺及WBC与点胶相结合工艺技术的使用，增加了绝缘胶厚度，进一步增强了IC控制芯片的耐高压防漏点能力。现有的单一基岛框架结构的IC+MOSFET集成驱动电路封装产品，适用于输入电压150V以下的封装，采用双基岛框架结构、WBC工艺及WBC与点胶相结合的封装工艺，输入电压最高可满足800V。

附图说明

图1 是现有的单载体引线框架LED驱动电路封装剖面图。

图2 是本发明封装件第一种实施例的剖面图。

图3 是本发明封装件第二种实施例的剖面图。