[发明专利]基板组件及其制备方法以及显示装置有效
申请号: | 201510461859.7 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN105140236B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 宋莹莹;孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李静岚;景军平 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 及其 制备 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种基板组件,包括:
基板;
在所述基板上的电极、金属布线和TFT;以及
在所述基板之上的堤坝,所述堤坝包围像素区域并裸露出所述电极;
其中,所述堤坝的远离基板的表面上包括一个或多个凹槽,所述凹槽适用于收集在后续喷墨打印工艺中残留在所述堤坝上的墨滴,所述凹槽的深度为所述堤坝的高度的一半或达到所述堤坝的底部,
其中,所述基板组件适用于经由连续喷墨打印工艺以制成OLED显示面板,并且所述基板组件的行方向平行于所述连续喷墨打印工艺的方向,并且
其中,所述堤坝的远离基板的所述表面还包括除所述凹槽之外的平坦的表面部分。
2.根据权利要求1所述的基板组件,其中所述堤坝由疏水性材料制成。
3.根据权利要求1所述的基板组件,其中在所述堤坝与所述金属布线和TFT层之间还存在绝缘保护层。
4.根据权利要求1所述的基板组件,其中所述凹槽位于在基板行或列方向上的尺寸大于等于100微米的堤坝上。
5.根据权利要求1所述的基板组件,其中所述凹槽为截锥体结构,并且所述凹槽在所述堤坝的所述表面处的开口直径为20-100微米。
6.根据权利要求1所述的基板组件,其中所述凹槽在所述堤坝的所述表面处的水平维度最小尺寸至少为20微米。
7.根据权利要求1所述的基板组件,其中所述凹槽位于与所述TFT和所述金属布线对应的堤坝上。
8.一种基板组件的制备方法,包括:
在基板上形成金属布线、TFT和电极;
在所述基板之上形成堤坝,并且所述堤坝包围像素区域并且裸露出所述电极;
在所述堤坝的远离所述基板的表面上形成一个或多个凹槽,其中所述凹槽用于收集在后续喷墨打印过程中残留在所述堤坝上的墨滴,所述凹槽的深度为所述堤坝的高度的一半或达到所述堤坝的底部,
其中,所述基板组件适用于经由连续喷墨打印工艺以制成OLED显示面板,并且所述基板组件的行方向平行于所述连续喷墨打印工艺的方向,
其中,所述堤坝的远离基板的所述表面还包括除所述凹槽之外的平坦的表面部分。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其中使用曝光量可调的掩模制备所述凹槽。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其中所述堤坝经由涂布和掩模曝光显影工艺形成,并且利用与曝光显影形成所述堤坝所使用的同一掩模来曝光显影形成所述凹槽。
11.根据权利要求8所述的制备方法,其中在基板行或列方向上的尺寸大于等于100微米的堤坝上形成所述凹槽。
12.根据权利要求8所述的制备方法,其中还包括在所述基板之上连续喷射有机发光材料溶液以及进行干燥处理的步骤。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其中还包括形成另一电极以及进行封装的步骤。
14.一种显示装置,包括如权利要求1到7中任一项所述的基板组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的