[发明专利]基板组件及其制备方法以及显示装置有效
申请号: | 201510461859.7 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN105140236B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 宋莹莹;孙力 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李静岚;景军平 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 及其 制备 方法 以及 显示装置 | ||
本发明提供了一种基板组件,包括:基板;形成在所述基板上的电极、金属布线和TFT;以及形成在所述基板之上的堤坝,所述堤坝包围像素区域并裸露出所述电极;其中,所述堤坝上远离基板的表面上一个或多个凹槽,所述凹槽适用于收集在后续喷墨打印工艺中残留在所述堤坝上的墨滴。本发明还涉及一种基板组件的制备方法以及显示装置。
技术领域
本发明涉及OLED制造的技术领域,并且特别涉及适用于OLED的基板组件及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED,或称有机电致发光)技术一直被认为是最具有竞争力的下世代发光及显示技术之一。然而,在显示器的应用方面,从1996年Pioneer发表的PLOLED显示器商品化以来,OLED显示器似乎在大型化及量产化方面遭遇极强的挑战。重大挑战主要来自两方面,第一是主动矩阵的TFT背板,另一个就是有机材料的制程及封装问题。在有机材料制程方面,主要有蒸镀制程和溶液制程。在面对大型化基板时,真空热蒸镀技术面临极大缺陷,如遮光板极易受工艺流程中的高温环境影响而发生偏移,导致难以在基板上保持均匀的沉积率。溶液制程中采用了喷墨印刷技术。而其中喷墨印刷技术可以通过液态有机材料的均匀沉积形成薄膜层,因此,这种技术理论上可以更好地解决大尺寸的问题。
喷墨印刷分为连续印刷和非连续印刷。连续印刷方式属于无光罩、无接触式的制程,优点在于逐次印刷,因为口径比较大,可以连续稳定地喷出墨水而不易堵塞喷嘴,良率高,易于大型化的同时Ink组成自由度大。但是在连续印刷的过程中,需要在一次打印循环中对其中几行像素进行墨水喷射,而在下一次打印循环中对另外几行像素进行墨水喷射,如此循环往复进行逐次打印,以实现对整个基板的喷射。
而在连续打印过程中,像素之间的堤坝(bank)上也会有墨滴滴上,而现有的常规堤坝在金属走线和TFT区域会有不太平整的现象,导致墨滴残留在此区域,从而改变该区域的表面疏水特性,后续再打印其他膜层时,可能会残留更多的墨水以致进一步影响像素内部的均匀性或者导致相邻像素间的串色现象。
因此需要一种解决现有技术中的上述问题的改进的技术。
发明内容
为了解决以上技术问题,本发明提供一种基板组件及其制备方法。
根据一方面,提供了一种基板组件,包括:基板;在所述基板上的电极、金属布线和TFT;以及在所述基板之上的堤坝,所述堤坝包围像素区域并裸露出所述电极;其中,所述堤坝的远离基板的表面上包括一个或多个凹槽,所述凹槽适用于收集在后续喷墨打印工艺中残留在所述堤坝上的墨滴。
根据优选实施例,所述基板组件适用于经由连续喷墨打印工艺以制成OLED显示面板。
根据优选实施例,所述堤坝由疏水性材料制成。
根据优选实施例,在所述堤坝与所述金属布线和TFT层之间还存在绝缘保护层。
根据优选实施例,所述凹槽位于在基板行或列方向上的尺寸大于等于100微米的堤坝上。
根据优选实施例,所述凹槽为截锥体结构,并且所述凹槽在所述堤坝的所述表面处的开口直径为20-100微米。
根据优选实施例,所述凹槽在所述堤坝的所述表面处的水平维度最小尺寸至少为20微米。
根据优选实施例,所述凹槽位于与所述TFT和所述金属布线对应的堤坝上。
根据另一方面,提供一种基板组件的制备方法,包括:在基板上形成金属布线、TFT和电极;在所述基板之上形成堤坝,并且所述堤坝包围像素区域并且裸露出所述电极;在所述堤坝的远离所述基板的表面上形成一个或多个凹槽,其中所述凹槽用于收集在后续喷墨打印过程中残留在所述堤坝上的墨滴。
根据优选实施例,使用曝光量可调的掩模制备所述凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的