[发明专利]超强型纳米半导电缓冲阻水带及其加工工艺

权利要求书

1.超强型纳米半导电缓冲阻水带，其特征在于，包括由SAF纤维制成的半导电针刺棉，所述半导电针刺棉表面涂设有防粘硅胶层。

2. 根据权利要求1所述的超强型纳米半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述半导电针刺棉厚度为1.5-2.5mm，克重为90-120 g/m²。

3.根据权利要求1所述的超强型纳米半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述半导电针刺棉表面单层涂设有1-1.5g/m²防粘硅胶层。

4.超强型纳米半导电缓冲阻水带的加工工艺，其特征在于，按照以下步骤进行：

1）将SAF纤维通过刺棉生产工艺生产出针刺棉无纺布；

2）再将针刺棉无纺布浸渍于油性纳米导电液，经挤压、真空烘干而成；

所述油性纳米导电液的成分：纳米中空碳管15-20%、油性丙烯酸胶体25-30%、乙脂40-55%。

5.根据权利要求4所述的超强型纳米半导电缓冲阻水带的加工工艺，其特征在于，所述针刺棉无纺布由以下的SAF纤维生产而成，1.33dtex10%+3dtex30%+7dtex60%相配比混合。

6.根据权利要求4所述的超强型纳米半导电缓冲阻水带的加工工艺，其特征在于，所述1）步骤中生产出的针刺棉无纺布规格为厚度1.5-2.5mm，克重90-120 g/m²。

7.根据权利要求4所述的超强型纳米半导电缓冲阻水带的加工工艺，其特征在于，所述2）步骤中，在针刺棉无纺布表面单层喷涂1-1.5g/m²的防粘硅胶层，喷涂后在负一个大气压、100-120℃条件下真空烘干而成。