[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201510462939.4 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN105468053B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 金钟三 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G05D23/30 | 分类号: | G05D23/30 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
一种半导体器件,包括:控制块,其响应于使能信号和加热控制信号,产生第一控制信号、第二控制信号和加热使能信号;温度测量块,其响应于第一控制信号和第二控制信号,产生与温度相对应的温度码;加热器,其在加热使能信号正被使能时产生热量;编码锁存块,其响应于第一控制信号和第二控制信号储存温度码,并且输出第一编码和第二编码;控制码发生电路,其通过对第一编码和第二编码执行操作而产生信号,并且通过将所述信号与预设码相比较而产生控制码;以及参考电压发生电路,其被配置为响应于控制码而改变参考电压的电压电平。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年9月25日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0128433的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明的实施例大体涉及一种半导体集成电路,更具体地,在一个或更多个实施例中,涉及一种半导体器件。
背景技术
电连接到外部电源电压的半导体器件使用从外部电源电压产生的内部电压来操作。
半导体器件包括晶体管,所述晶体管可以根据施加到其的内部电压而处于各种状况(例如,切断、有效或饱和)中的一种。然而,晶体管的特性可以随着温度的变化而变化。例如,即使正施加到栅极和源极的内部电压保持恒定,在晶体管的漏极和源极之间流动的电流仍可以随着温度的变化而变化,并且这种变化可以引起半导体器件发生故障。
因此,如果根据温度来调节内部电压的电压电平,则可以降低发生故障的机会。
发明内容
在本发明的一个实施例中,半导体器件包括:控制块,其响应于使能信号和加热控制信号,产生第一控制信号、第二控制信号和加热使能信号;温度测量块,其响应于第一控制信号和第二控制信号,产生与温度相对应的温度码;加热器,其在加热使能信号的使能时段中产生热量;编码锁存块,其响应于第一控制信号和第二控制信号锁存温度码,并输出第一编码和第二编码;控制码发生电路,其将第一编码和第二编码的操作结果与预设码相比较,并产生控制码;以及参考电压发生电路,其响应于控制码,改变参考电压的电压电平。
在本发明的一个实施例中,半导体器件包括:温度码发生电路,其响应于使能信号,产生与加热器操作之前的温度相对应的第一编码并产生与加热器操作之后的温度相对应的第二编码;控制码发生电路,其响应于第一编码和第二编码,产生控制码;以及参考电压发生电路,其产生具有与控制码相对应的电压电平的参考电压。
附图说明
结合附图描述特征、方面和实施例,在附图中:
图1是根据本发明的一个实施例的半导体器件的配置图;
图2是图1的控制块的配置图;
图3是图1的编码锁存块的配置图;
图4是图1的参考电压发生电路的配置图;
图5是用于解释根据本发明的一个实施例的半导体器件的时序图;
图6是用于解释根据本发明的一个实施例的半导体器件的示图。
具体实施方式
图1是根据本发明的一个实施例的半导体器件的配置图。
如图1中所示,根据本发明的一个实施例的半导体器件包括温度码发生电路100、控制码发生电路200和参考电压发生电路300。
温度码发生电路100可以响应于使能信号EN,产生与加热器130操作之前的温度相对应的第一编码Code_1以及产生与加热器130的加热操作之后的温度相对应的第二编码Code_2。
在本发明的一个实施例中,温度码发生电路100包括:控制块110、温度测量块120、加热器130和编码锁存块140。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510462939.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。