[发明专利]静电释放保护电路在审
申请号: | 201510464933.0 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN105337272A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 黄柏狮 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H01L27/02 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 戈晓美;白华胜 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 释放 保护 电路 | ||
1.一种静电释放保护电路,包含有:
第一电压垫;
第二电压垫;
输入/输出垫;
第一静电释放保护模块,包含第一端以及第二端,其中该第一端耦接于该第一电压垫;
开关,包含第三端、第四端以及控制端,其中该第三端耦接于该第一静电释放保护模块的该第二端,该第四端耦接于该输入/输出垫,该控制端用于接收控制信号
第二静电释放保护模块,包含第五端以及第六端,其中该第五端耦接于该开关的该第三端,以及该第六端耦接于该第二电压垫;以及
静电释放检测电路,用于检测是否存在静电释放电压,以及产生该控制信号用于当检测到该静电释放电压时将该开关控制为导通,以及当未检测到该静电释放电压时将该开关控制为不导通。
2.根据权利要求1所述的静电释放保护电路,其特征在于,该开关为金属氧化物半导体晶体管。
3.根据权利要求2所述的静电释放保护电路,其特征在于,该金属氧化物半导体晶体管是P沟道金属氧化物半导体晶体管,包含第七端、第八端以及闸极端,其中该第七端作为该金属氧化物半导体晶体管的该第三端,该第八端作为该金属氧化物半导体晶体管的该第四端,以及该闸极端作为该金属氧化物半导体晶体管的该控制端。
4.根据权利要求2所述的静电释放保护电路,其特征在于,该金属氧化物半导体晶体管是N沟道金属氧化物半导体晶体管,包含第七端、第八端以及闸极端,其中该第七端作为该金属氧化物半导体晶体管的该第三端,该第八端作为该金属氧化物半导体晶体管的该第四端,以及该闸极端作为该金属氧化物半导体晶体管的该控制端。
5.根据权利要求1或2所述的静电释放保护电路,其特征在于,该第一静电释放保护模块是第一二极管,包含第一阴极端和第一阳极端,其中该第一阴极端作为该第一静电释放保护模块的该第一端,以及该第一阳极端作为该第一静电释放保护模块的该第二端,该第二静电释放保护模块是第二二极管,包含第二阴极端和第二阳极端,其中该第二阴极端作为该第二静电释放保护模块的该第五端,以及该第二阳极端作为该第二静电释放保护模块的该第六端。
6.根据权利要求1或2所述的静电释放保护电路,其特征在于,该第一静电释放保护模块是P沟道金属氧化物半导体晶体管,包含第七端以及第八端,其中该第七端作为该第一静电释放保护模块的该第一端,以及该第八端作为该第一静电释放保护模块的该第二端,该第二静电释放保护模块是N沟道金属氧化物半导体晶体管,包含第九端以及第十端,其中该第九端作为该第二静电释放保护模块的该第五端,以及该第十端作为该第二静电释放保护模块的该第六端。
7.根据权利要求1或2所述的静电释放保护电路,其特征在于,
该第一静电释放保护模块包含P沟道金属氧化物半导体晶体管以及第一二极管,该P沟道金属氧化物半导体晶体管包含第七端以及第八端,该第一二极管包含第一阴极端和第一阳极端,其中该第七端被用作该第一静电释放保护模块的该第一端,该第八端耦接于该第一阴极端,以及该第一阳极端被用作该第一静电释放保护模块的该第二端;以及
该第二静电释放保护模块包含N沟道金属氧化物半导体晶体管以及第二二极管,该N沟道金属氧化物半导体晶体管包含第九端以及第十端,该第二二极管包含第二阴极端和第二阳极端,其中该第九端耦接于该第二阳极端,该第十端被用作该第二静电释放保护模块的该第六端,以及该第二阴极端被用作该第二静电释放保护模块的该第五端。
8.根据权利要求1所述的静电释放保护电路,其特征在于,该开关的该第三端以及该第四端皆没有与电源电平或接地电平直接耦接。
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