[发明专利]静电释放保护电路

说明书

一种ESD保护电路，包含第一、第二电压垫，I/O垫，第一、第二ESD保护模块，MOS晶体管，及ESD检测电路。第一ESD保护模块包含第一端及第二端，第一端耦接于第一电压垫。MOS晶体管包含第三端、第四端及控制端，第三端耦接于第一ESD保护模块的第二端，第四端耦接于I/O垫，控制端用于接收控制信号。第二ESD保护模块包含第五端及第六端，第五端耦接于MOS晶体管的第三端，第六端耦接于第二电压垫。ESD检测电路，用于检测是否存在ESD电压，以及产生控制信号用于当检测到ESD电压时将MOS晶体管控制为导通，以及当未检测到ESD电压时将MOS晶体管控制为不导通。上述ESD保护电路使得信号摆幅不再被限制在第一预定电压VDD到第二预定电压VSS之间的范围。

技术领域

本发明所揭示的实施方式是有关于静电释放(Electro-Static Discharge,以下简称为ESD)保护电路。

背景技术

ESD保护电路是用于保护内部电路，防止内部电路受到ESD电压的损害。图1是相关技术领域ESD保护电路100的电路示意图。如图1所示，ESD保护电路100包含第一ESD保护模块101、第二ESD保护模块103、第一电压垫VP1、第二电压垫VP2、以及输入/输出(Input/Output，以下简称为I/O)垫IP。在正常模式下(即ESD电压未出现时)，第一电压垫VP1耦接于第一预定电压VDD，并且第二电压垫VP2耦接于第二预定电压VSS。如果ESD电压出现，则第一电压垫VP1或者第二电压垫VP2接地，从而使得ESD电压产生的电流能够基于ESD电压的值，通过第一ESD保护模块101流至第一电压垫VP1，或者通过第二ESD保护模块103流至第二电压垫VP2。通过这种方式，ESD电压产生的电流不会流至内部电路，从而内部电路得到保护。本领域技术人员应了解其他关于ESD保护电路的详细概念，因此出于简洁的目的不再详述。

但是，此架构下，传送至内部电路的信号摆幅被限制在第二预定电压VSS和第一预定电压VDD之间的范围。

发明内容

由此，本发明的一个目的在于提供不限制信号摆幅的ESD保护电路。

本发明一实施方式揭示一种ESD保护电路，包含第一电压垫、第二电压垫、I/O垫、第一ESD保护模块、MOS晶体管、第二ESD保护模块、ESD检测电路。第一ESD保护模块包含第一端以及第二端，其中第一端耦接于第一电压垫。MOS晶体管包含第三端、第四端以及控制端，其中第三端耦接于第一ESD保护模块的第二端，第四端耦接于I/O垫，控制端用于接收控制信号，其中第三端以及第四端皆没有与电源电平或接地电平直接耦接。第二ESD保护模块包含第五端以及第六端，其中第五端耦接于该MOS晶体管的第三端，以及第六端耦接于第二电压垫。ESD检测电路，用于检测是否存在ESD电压，以及产生控制信号用于当检测到ESD电压时将MOS晶体管控制为导通，以及当未检测到ESD电压时将MOS晶体管控制为不导通。

从上述实施方式来看，ESD保护电路能够与内部电路隔离，以使得信号摆幅不再被限制在第一预定电压VDD到第二预定电压VSS之间的范围。此外，如果PMOS晶体管被用作开关，则不再需要用于深N井(deep N-well)的遮罩(mask)，由此节省了成本。

本领域的技术人员在阅读各附图及说明所描述的较佳实施方式的详细内容后能够毫无疑义地了解本发明的各发明目的。