[发明专利]闪存读操作校准电路

权利要求书

1.一种闪存读操作校准电路，其特征在于，包括：

校准电流源，适于输出校准电流；

开关电路，其输入端同时耦接接所述校准电流源和所述闪存的第一位线，适于控制第一位线的电压；

跟随电路，其输入端耦接所述开关电路的输入端，输出端耦接至少另一条位线；

镜像电路，其第一端耦接所述开关电路，第二端适于输出与所述校准电流大小相同的电流；

参考电流源，适于输出参考电流；

参考电流控制电路，耦接所述参考电流源，适于控制所述参考电流大小，在输出端信号由高电平变为低电平的下降沿，断开与所述参考电流源的连接；

其中，所述镜像电路的第二端和所述参考电流源耦接，作为所述闪存读操作校准电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述闪存读操作校准电路还包括，至少一个存储单元，耦接所述第一位线和另一条位线；所述存储单元状态为编程。

3.根据权利要求1所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述参考电流控制电路包括至少二个由晶体管和电流源串联形成的电流源组，所述电流源组输出的电流适于与所述参考电流源输出的参考电流叠加以实现对参考电流的调整。

4.根据权利要求3所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述电流源组适于通过逻辑控制的方式加以导通，以逐步增加所述参考电流大小。

5.根据权利要求4所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述逻辑控制通过控制加法器依次导通所述电流源组。

6.根据权利要求1所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，还包括缓冲电路，其一端耦接所述镜像电路和所述参考电流源之间的节点，另一端作为所述闪存读操作校准电路的输出端。

7.根据权利要求6所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述缓冲电路包括两个级联的反相器，输入端耦接所述镜像电路和所述参考电流源之间的节点。

8.根据权利要求6所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述缓冲电路在所述校准电流大于所述参考电流时，输出高电平信号；所述校准电流小于所述参考电流时，输出低电平信号。

9.根据权利要求1所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述开关电路包括反相器和NMOS管，反相器耦接所述校准电流源，所述NMOS管源极连接所述镜像电路，漏极接所述第一位线。

10.根据权利要求1所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述跟随电路输出端输出与所述第一位线电压相同的电压在所述至少另一条位线。

11.根据权利要求9所述的闪存读操作校准电路，其特征在于，所述镜像电路包括第一PMOS管和第二PMOS管栅极级联的PMOS管组，其中所述第一PMOS管栅极和源极栅极耦接所述开关电路中所述NMOS管的源极，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极接电源电压，所述第二PMOS管的源极接所述参考电流源。