[发明专利]闪存读操作校准电路

说明书

一种闪存读操作校准电路，包括：校准电流源、参考电流源、镜像电路、开关电路、跟随电路和参考电流控制电路。所述闪存读操作校准电路中设置校准电流源和参考电流控制电路，校准电流源适于输出校准电流；参考电流控制电路耦接参考电流源，适于控制所述参考电流大小。根据闪存读操作校准电路输出信号，调整参考电流大小。通过比较校准电流和参考电流的大小，得到失调产生的电流差，解决了跟随电路和镜像电路失调导致的读操作输出有误差的技术问题，提高了读操作输出信号的准确性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存读操作校准电路。

背景技术

闪存(Flash)是利用闪存技术达到存储电子信息的存储器，因其具有无驱动、速度快、体积小、兼容性好、携带方便、容量大、寿命长等优点而被广泛使用。闪存可以对数据进行读写、复制及擦除，不同的操作均有不同的驱动电路。

请参照图1，为现有技术中一种闪存读操作电路的结构示意图。其中，跟随器F1、F2是为抑制阵列S1、S2的侧边电流泄露而设置，晶体管MP1、MP2组成的镜像电路则是用来输出与位线BL1电流大小相同的电流。

现有技术的闪存读操作电路在进行读取操作时，由于制作工艺的原因，跟随器F1、F2和镜像电路中晶体管MP1、MP2会产生失调，导致参考电流Iref与设定值出现偏差，影响了读操作的准确性。

发明内容

本发明解决的技术问题是提高闪存读操作的准确性。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种闪存读操作校准电路，包括：

校准电流源，适于输出校准电流；

开关电路，其输入端同时耦接接所述校准电流源和所述闪存的第一位线，适于控制第一位线的电压；

跟随电路，其输入端耦接所述开关电路的输入端，输出端耦接至少另一条位线；

镜像电路，其第一端耦接所述开关电路，第二端适于输出与所述校准电流大小相同的电流；

参考电流源，适于输出参考电流；

参考电流控制电路，耦接所述参考电流源，适于控制所述参考电流大小，在输出端信号由高电平变为低电平的下降沿，断开与所述参考电流源的连接；

其中，所述镜像电路的第二端和所述参考电流源耦接，作为所述闪存读操作校准电路的输出端。

所述闪存读操作校准电路还包括，至少一个存储单元，耦接所述第一位线和另一条位线；所述存储单元状态为编程。

进一步，所述参考电流控制电路包括至少二个由晶体管和电流源串联形成的电流源组，所述电流源组输出的电流适于与所述参考电流源输出的参考电流叠加以实现对参考电流的调整。

所述电流源组适于通过逻辑控制的方式加以导通，以逐步增加所述参考电流大小。

所述逻辑控制通过控制加法器依次导通所述电流源组。

所述闪存读操作校准电路还包括缓冲电路，其一端耦接所述镜像电路和所述参考电流源之间的节点，另一端作为所述闪存读操作校准电路的输出端。

进一步，所述缓冲电路包括两个级联的反相器，输入端耦接所述镜像电路和所述参考电流源之间的节点。

所述缓冲电路在所述校准电流大于所述参考电流时，输出高电平信号；所述校准电流小于所述参考电流时，输出低电平信号。

进一步，所述开关电路包括反相器和NMOS管，反相器耦接所述校准电流源，所述NMOS管源极连接所述镜像电路，漏极接所述第一位线。

进一步，所述跟随电路输出端输出与所述第一位线电压相同的电压在所述至少另一条位线。