[发明专利]用于MOCVD系统化学源蒸汽管路的粉尘颗粒收集器

说明书

技术领域

本发明涉及金属有机化合物化学气相沉淀技术领域，特别涉及用于MOCVD系统化学源蒸汽管路的粉尘颗粒收集器。

背景技术

金属有机化学气相沉积(MOCVD)是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长原材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

目前，公知的半导体MOCVD系统中，通常是在化学源蒸汽管道上加入气体过滤器以过滤粉尘颗粒，但是在重金属化合物MOCVD系统中，会存在堵塞问题，不能使用类似的气体过滤器。由于诸多原因，在此类系统中，化学源蒸汽管道里难免有粉尘颗粒产生。例如，在制备超导薄膜带材的MOCVD系统中，管道中会有毫米数量级的粉尘颗粒掉落，它们会在超导带材上造成坏点，而这样的影响几乎是致命的。因此迫切需要一个装置来减少以致彻底清除这些粉尘颗粒。

发明内容

基于上述问题，本发明目的是提供用于MOCVD系统化学源蒸汽管路的粉尘颗粒收集器，安装在蒸汽管路出口，以去除蒸汽管道内的粉尘颗粒。

为了克服现有技术的不足，本发明提供的技术方案是：

用于MOCVD系统化学源蒸汽管路的粉尘颗粒收集器，包括收集器本体，所述收集器本体为上端具有进气管口、下端密封的管道，所述进气管口处密封固定有进气管，所述进气管上端伸出所述收集器本体，所述进气管下端延伸至所述收集器本体内并临近所述收集器本体底部，所述进气管上端连接至蒸汽管路出口，所述进气管下端设有开口，所述收集器本体上端位于所述进气管周围设有多个出气孔。

在其中一个实施例中，所述收集器本体的长度为8～15cm，所述进气管下端距所述收集器本体底部的距离为2～4cm。

在其中一个实施例中，所述收集器本体的长度为10cm，所述进气管下端距所述收集器本体底部的距离为3cm。

在其中一个实施例中，所述出气孔的孔径为0.5～1.5mm。

在其中一个实施例中，所述出气孔的孔径为1mm。

与现有技术相比，本发明的优点是：

采用本发明的技术方案，进气管连接至蒸汽管的出口，蒸汽管内气体从进气管进入收集器本体内，粉尘颗粒在重力作用下沉积在收集器本体的底部，气体则从收集器上方的出气孔排出进入下一道工序，可清楚蒸汽管内产生的粉尘颗粒，避免粉尘颗粒对沉积产品的影响，保证产品的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明用于MOCVD系统化学源蒸汽管路的粉尘颗粒收集器实施例的结构示意图；

其中：1、收集器本体；11、进气管口；12、出气孔；2、进气管；21、开口。

具体实施方式

以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本发明而不限于限制本发明的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。

参见图1，为本发明实施例的结构示意图，提供一种用于MOCVD系统化学源蒸汽管路的粉尘颗粒收集器，其包括收集器本体1，收集器本体1为上端具有进气管口11、下端密封的管道，在进气管口11密封固定有进气管2，进气管2的上端伸出收集器本体1，进气管2的下端延伸至收集器本体1内邻近其底部的位置，进气管2的上端连接至蒸汽管路出口，进气管2下端设有开口21，收集器本体1上端位于进气管2周围设有多个出气孔12，优选的，收集器本体1的长度为8～15cm，优选为10cm，进气管2下端距收集器本体1底部的距离为2～4cm，优选为3cm，出气孔12的孔径为0.5～1.5mm，优选为1mm，这样化学源蒸汽管路内混有粉尘颗粒的气体进入进气管2，并经进气管2下端开口21进入到收集器本体1，粉尘颗粒在重力作用下沉降至收集器本体1底部，而气体则从收集器本体1上端的出气口12进入后续设备，本发明的收集器能有效收集化学源蒸汽管路中的粉尘颗粒，减少粉尘颗粒对超导带材的不利影响，提高产品的品质。

上述实例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人员能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。