[发明专利]半导体器件和制造方法有效
申请号: | 201510469712.2 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN105336764B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | U.格拉泽;P.伊尔西格勒;H-J.舒尔策 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/02 | 分类号: | H01L29/02;H01L29/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
具有相对的第一表面和第二表面的半导体主体;以及
被掩埋在所述半导体主体中的氮化物和碳化物的至少一个,其中所述半导体主体的第二部分在所述第一表面与所述氮化物和所述碳化物的所述至少一个之间,且所述半导体主体的第一部分在第二表面与所述氮化物和所述氮化物的所述至少一个之间,
其中所述氮化物和所述碳化物的所述至少一个的熔点大于900℃,并且
其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个的电导率大于3 x 106 S/m。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个是二元或三元化合物。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个是AxByRz,其中A是Sc、Ti、Cr、V、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta之一,其中B是Al、Si、P、S、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Te和Pb之一,其中R是C和N之一,以及其中[x,y,z]是[2,1,1]、[3,1,2]、[4,1,3]之一。
4.如权利要求1所述的半导体器件,还包括掩埋在所述半导体主体中的电布线,所述电布线包括所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个。
5.如权利要求4所述的半导体器件,还包括在所述电布线和所述半导体主体之间的接触层和电介质的至少一个。
6.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个是垂直地布置在所述第一表面处的高掺杂发射极区和漂移区之间的重组结构。
7.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个是横向布置在第一半导体元件的第一有源区域和第二半导体元件的第二有源区域之间的重组结构。
8.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个是横向布置在晶体管单元阵列和结终止区域之间的过渡区域中的重组结构。
9.一种制造半导体的方法,所述方法包括:
在半导体主体的第一部分上形成氮化物和碳化物的至少一个;以及
通过在所述第一部分上和在所述氮化物和所述碳化物的所述至少一个上经由外延生长形成所述半导体主体的第二部分来将所述氮化物和所述碳化物的所述至少一个掩埋在所述半导体主体中,
其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个的电导率大于3 x 106 S/m。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述第二部分通过选择性外延生长或外延横向过生长来形成。
11.如权利要求9所述的方法,还包括将沟槽从所述第二部分的表面刻蚀到所述半导体主体中一直到所述氮化物和所述碳化物的所述至少一个。
12.如权利要求9所述的方法,其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个是AxByRz,其中A是Sc、Ti、Cr、V、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta之一,其中B是Al、Si、P、S、Ga和Ge之一,其中R是C和N之一,以及其中[x,y,z]是[2,1,1]、[3,1,2]、[4,1,3]之一。
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