[发明专利]半导体器件和制造方法

说明书

本发明涉及半导体器件和制造方法。半导体器件包括从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。三元碳化物和三元氮化物的至少一个在沟槽中。

背景技术

半导体器件的电特性被多个器件部分影响。在半导体器件（例如二极管或晶体管，例如绝缘栅场效应晶体管（IGFET），诸如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、结场效应晶体管（JFET）、双极结晶体管（BJT））的负载端子之间的电阻由例如半导体块、触头和布线确定。最小化电阻允许在半导体器件中的电阻损耗的减小。

提供使得能够实现改进的电特性的半导体器件和制造方法是期望的。

发明内容

根据半导体器件的实施例，半导体器件包括从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。三元碳化物和三元氮化物的至少一个在沟槽中。

根据半导体器件的另一实施例，半导体器件包括具有相对的第一和第二表面的半导体主体。氮化物和碳化物中的至少一个被掩埋在半导体主体中。半导体主体的第二部分在第一表面与氮化物和碳化物的至少一个之间。半导体主体的第一部分在第二表面与氮化物和氮化物的至少一个之间。氮化物和碳化物的至少一个的熔点大于900℃。

根据制造半导体的方法的实施例，该方法在半导体主体的第二部分上形成氮化物和碳化物的至少一个。该方法还包括通过在第二部分上和在氮化物和碳化物的至少一个上经由外延生长形成半导体主体的第一部分来将氮化物和碳化物的至少一个掩埋在半导体主体中。

本领域中的技术人员在阅读下面的详细描述时并在观看附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解并被合并在本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示本发明的实施例并与描述一起用于解释本发明的原理。本发明的其它实施例和预期优点将容易被认识到，因为它们通过参考下面的详细描述变得更好理解。

图1是用于图示包括包含在沟槽中的三元碳化物和三元氮化物的至少一个的结构的半导体器件的半导体主体的示意性横截面视图。

图2A到2I和图3A到3C图示图1的结构的不同实施例。

图4、5A和5B是用于图示包括掩埋在半导体主体中的碳化物和氮化物的至少一个的半导体器件的半导体主体的示意性横截面视图。

图6、7A和7B是用于图示包括三元碳化物和三元氮化物的至少一个的横向和垂直二极管的半导体主体的示意性横截面视图。

图8是用于图示包括三元碳化物和三元氮化物的至少一个的npn双极结晶体管（BJT）的半导体主体的示意性横截面视图。

图9A和9B是用于图示制造包括掩埋在半导体主体中的碳化物和氮化物的至少一个的半导体器件的方法的半导体主体的示意性横截面视图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考形成其一部分的附图，且其中作为例证示出本公开内容可被实践的特定实施例。应理解，可利用其它实施例且可做出结构或逻辑改变而不偏离本发明的范围。例如，对一个实施例图示或描述的特征可在其它实施例上或结合其它实施例来使用以产出另外的实施例。意图是本公开内容包括这样的修改和变化。使用不应被解释为限制所附权利要求的范围的特定语言描述了示例。附图并不按比例且仅为了例证性目的。为了清楚起见，相同的元件在不同的附图中由对应的参考符号表示，如果不是另有规定。

术语“具有”、“包含”、“包括”、“包括了”等是开放的，且术语指示所陈述的结构、元件或特征的存在，但不排除附加的元件或特征的存在。冠词“一”、“一个”和“该”意在包括复数以及单数，除非上下文清楚地另有指示。