[发明专利]一种嵌入式闪存结构及其制备方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一硅衬底，且所述硅衬底上预设有第一器件区域和第二器件区域；

于所述硅衬底上按照从下至上的顺序依次制备第一遂穿氧化层、浮栅多晶硅层、ONO层、控制栅多晶硅层和氮化硅层；

依次刻蚀所述氮化硅层、所述控制栅多晶硅层和所述ONO层至所述控制栅多晶硅层的上表面，以在位于所述第一器件区域的所述硅衬底之上形成第一开口及在位于所述第二器件区域的所述硅衬底之上形成第二开口；

利用掩膜刻蚀所述第一开口底部至所述第一遂穿氧化层的上表面，以形成第一凹槽，及刻蚀所述第二开口底部至所述第一遂穿氧化层的上表面，以形成第二凹槽；

于所述第一凹槽中制备氧化层及第二遂穿氧化层；

于所述第一开口和第一凹槽中制备擦除栅及于所述第二开口和所述第二凹槽中制备字线栅。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，所述方法中形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的步骤还包括：

沉积隔离层材料使所述隔离层材料填充满所述第一开口和所述第二开口；

依次刻蚀所述侧墙层材料和所述浮栅多晶硅层至所述第一遂穿氧化层的上表面，与所述第一开口的下方形成第一凹槽及于所述第二开口的下方形成第二凹槽。

3.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，所述方法中于第一凹槽中制备氧化层及第二遂穿氧化层的步骤还包括：

于所述第一凹槽、所述第一开口、所述第二凹槽和所述第二开口中填充氧化层材料；

利用机械研磨工艺将所述氧化层的上表面平坦化，使所述氧化层的上表面与所述氮化硅层的上表面呈水平状态；

刻蚀所述氧化层至所述第一凹槽、第二凹槽中保留预定厚度的氧化层；

沉积第二遂穿氧化层材料使所述第二遂穿氧化层材料填充所述第一凹槽、所述第一开口、所述第二凹槽和所述第二开口；

采用刻蚀所述第二遂穿氧化层至第一凹槽中保留部分第二遂穿氧化层及清除所述第二凹槽底部的氧化层及位于所述氧化层上方的第二遂穿氧化层。

4.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，所述方法中形成擦除栅和所述字线栅的步骤还包括：

于所述第一开口和所述第二开口沉积多晶硅材料；

刻蚀所述第一开口和所述第二开口中的多晶硅材料层，于第一开口中形成擦除栅，于所述第二开口中形成字线栅。

5.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为180埃-220埃。

6.如权利要求1所述的嵌入式闪存的制备方法，其特征在于，所述掩膜的材质为二氧化硅或氮化硅。

7.一种嵌入式闪存，其特征在于，基于如权利要求1～6中任意一项所述的嵌入式闪存的制备方法，所述嵌入式闪存包括：

硅衬底，设置有第一器件区和第二器件区；以及

于所述硅衬底上方从下往上依次制备有遂穿氧化层、浮栅多晶硅层、ONO层、控制栅多晶硅层和氮化硅层；

第一通孔，设置于所述第一器件区的上方的遂穿氧化层的上表面；

第二通孔，设置于所述第二器件区的上方的遂穿氧化层的上表面；

擦除栅极，设置于所述第一通孔中；

字线栅极，设置于所述第二通孔中。

8.如权利要求7所述的嵌入式闪存，其特征在于，所述第一通孔中还设置有氧化层，所述氧化层位于所述遂穿氧化层与所述擦除栅极之间。

9.如权利要求7所述的嵌入式闪存，其特征在于，所述擦除栅极与所述第一通孔之间设置有侧墙层。

10.如权利要求7所述的嵌入式内存，其特征在于，所述字线栅极与所述第二通孔之间设置有侧墙层。