[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201510473674.8 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN105140238A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王聪;杜鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518006 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在玻璃基板上生长多晶硅层；
对多晶硅层两侧进行重掺杂并进行活化处理，形成重掺杂区；
在所述重掺杂区上生长第一金属层，形成源/漏极；
在所述多晶硅层上依次生长栅绝缘层和第二金属层，形成栅极，其中所述第二金属层材料为金属铝。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述玻璃基板与所述多晶硅层之间还生长有缓冲层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层的其中一侧的所述第一金属层上设置有底层ITO薄膜。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层材料为金属铝。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属层上还依次生长有钝化层和顶层ITO薄膜。
6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
玻璃基板；
多晶硅层，设置在所述玻璃基板上，所述多晶硅层的两侧为重掺杂区；
第一金属层，设置在所述重掺杂区上，形成源/漏极；
栅绝缘层、第二金属层，依次设置在所述多晶硅层上，其中所述第二金属层材料为金属铝，形成栅极。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述玻璃基板与所述多晶硅层之间还设置缓冲层。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层材料为金属铝。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅层的其中一侧的所述第一金属层上设置有底层ITO薄膜。
10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述重掺杂区完成重掺杂后即进行活化处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510473674.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种农业灌溉水除盐方法及设备
- 下一篇：废水处理系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
