[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201510477133.2 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN105514137B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 康南洙;沈芝慧 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
衬底;
第一电极,定位在所述衬底上方;
有机发射层,定位在所述第一电极上方;
第二电极,定位在所述有机发射层上方;
折射层,定位在所述第二电极上方;以及
光半透反射式金属层,定位在所述折射层上方,
其中,从所述有机发射层发出的光通过所述第一电极与所述光半透反射式金属层之间的相长干涉而经历谐振和反射,并且从所述第一电极至所述光半透反射式金属层的距离满足下式:
Lλ/N,
其中,L为从所述第一电极至所述光半透反射式金属层的谐振距离,λ为从所述有机发射层发出的光的波长,以及N为偶数。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,N为2、4、8和16中的一个。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述折射层位于所述第二电极与所述光半透反射式金属层之间,并且与所述第二电极和所述光半透反射式金属层都接触。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一电极与所述有机发射层接触,所述有机发射层与所述第二电极接触。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中,所述有机发射层包括:
第一有机层,与所述第一电极接触;
第二有机层,与所述第二电极接触;以及
主发射层,位于所述第一有机层与所述第二有机层之间,并且与所述第一有机层和所述第二有机层都接触。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,所述主发射层包括:
第一发射层部,配置成发出第一颜色的光;
第二发射层部,当在与所述衬底的主要表面垂直的观察方向上观察时与所述第一发射层部相隔开,并且配置成发出第二颜色的光;以及
第三发射层部,当在所述观察方向上观察时与所述第一发射层部和所述第二发射层部相隔开,并且配置成发出第三颜色的光。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,从所述第一电极经由所述第一发射层部至所述光半透反射式金属层的距离、从所述第一电极经由所述第二发射层部至所述光半透反射式金属层的距离、以及从所述第一电极经由所述第三发射层部至所述光半透反射式金属层的距离相同。
8.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一电极为光反射电极,并且所述第二电极为光半透反射式电极。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第二电极和所述光半透反射式金属层中的每个具有5nm至15nm的厚度。
10.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其中,所述折射层具有小于所述第二电极的厚度的厚度。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器,其中,所述折射层具有小于所述光半透反射式金属层的厚度的厚度。
12.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器,其中,所述折射层的厚度为5nm至15nm。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第二电极和所述光半透反射式金属层由相同的材料形成。
14.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第二电极和所述光半透反射式金属层分别包括银(Ag)。
15.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述折射层包括有机材料。
16.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器,其中,所述折射层的折射率为1.1至1.8。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的