[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201510477133.2 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN105514137B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 康南洙;沈芝慧 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
有机发光二极管显示器包括定位在衬底上方的第一电极、定位在第一电极上方的有机发射层、定位在有机发射层上方的第二电极、定位在第二电极上方的折射层、以及定位在折射层上方的光半透反射式金属层。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管显示器。更具体地,本公开涉及通过使用相长干涉提高了从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。
背景技术
显示设备在其显示表面上显示图像。近来,有机发光二极管显示器已受到瞩目。
有机发光二极管显示器具有自发光特性,并且不同于液晶显示器,因为有机发光二极管显示器不需要单独的光源,因此其可具有相对小的厚度和重量。此外,有机发光二极管显示器展现出了诸如低功耗、高亮度、高响应速度等高品质特性。
典型的有机发光二极管显示器包括有机发光元件(有机发光二极管),其中,有机发光元件包括依次布置的第一电极、有机发射层和第二电极。
近来,通过将第一电极与第二电极之间的距离控制成或调节成与从有机发射层发出的光的波长相对应,已开发出了通过使用相长干涉改善从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。
本背景技术部分公开的上述信息仅仅是用于增强理解,并因此,其可包含并不形成本国的本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施方式提供了在不考虑从有机发射层发出的光的波长的情况下通过使用相长干涉改善从有机发射层发出的光的效率的有机发光二极管显示器。
本发明的一个方面提供了有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括定位在衬底上的第一电极、定位在第一电极上的有机发射层、定位在有机发射层上的第二电极、定位在第二电极上的折射层、以及定位在折射层上的光半透反射式金属层。
从第一电极至光半透反射式金属层的距离可满足下式。
Lλ/N,
此处,L为从第一电极至光半透反射式金属层的距离,λ为从有机发射层发出的光的波长,以及N为偶数。
N可以是2、4、8和16中的一个。
折射层可在第二电极与光半透反射式金属层之间分别与第二电极和光半透反射式金属层接触。
第一电极可与有机发射层接触,有机发射层可与第二电极接触。
有机发射层可包括与第一电极接触的第一有机层、与第二电极接触的第二有机层、以及在第一有机层与第二有机层之间分别与第一有机层和第二有机层接触的主发射层。
主发射层可包括发出第一颜色的光的第一子发射层、在平面上与第一子发射层相隔开并且发出第二颜色的光的第二子发射层、以及在平面上与第二子发射层相隔开并且发出第三颜色的光的第三子发射层。
从分别与第一子发射层、第二子发射层和第三子发射层一同定位的第一电极至光半透反射式金属层的距离可相同。
第一电极可为光反射电极,并且第二电极可为光半透反射式电极。
第二电极和光半透反射式金属层可分别具有5nm至15nm的厚度。
折射层可具有小于第二电极厚度的厚度。
折射层可具有小于光半透反射式金属层厚度的厚度。
折射层的厚度可为5nm至15nm。
第二电极和光半透反射式金属层可由相同的材料形成。
第二电极和光半透反射式金属层可分别包括银(Ag)。
折射层可包括有机材料或无机材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的