[发明专利]多晶四阻栅电池片的处理方法及其处理装置有效
申请号: | 201510477727.3 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN105161400B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 陈建平 | 申请(专利权)人: | 浙江德西瑞新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙) 33265 | 代理人: | 蔡鼎 |
地址: | 314415 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理容器 电池片 多晶 阻栅 处理装置 滑块 喷管 升降气缸 移动机构 有效处理 处理筒 螺母 电子技术领域 方法和装置 处理效率 固定导轨 搅拌装置 机械手 升降板 导轨 取放 丝杆 轴承 电机 自动化 | ||
1.多晶四阻栅电池片的处理装置,包括机架,其特征在于,所述的机架上固定有第一处理容器、第二处理容器、第三处理容器、第一存液容器、第二存液容器和第三存液容器,第一处理容器、第二处理容器和第三处理容器三者依次设置,第一处理容器的上部具有第一开口,第二处理容器的上部具有第二开口,第三处理容器的上部具有第三开口,在第一存液容器中存放40%的氢氟酸溶液,在第二存液容器中存放50%的硝酸溶液,在第三存液容器中存放25%的双氧水溶液,在第一存液容器与第一处理容器之间通过第一输送管相连通,在第一输送管上设置有第一输送泵和第一流量阀,在第二存液容器与第一处理容器之间通过第二输送管相连通,在第二输送管上设置有第二输送泵和第二流量阀,在第三存液容器与第一处理容器之间通过第三输送管相连通,在第三输送管上设置有第三输送泵和第三流量阀,在第一处理容器中设置有第一处理筒,所述第一处理筒下部的侧壁处开设有若干进液孔,所述的进液孔均处于第一处理筒的下半部分,在第一处理筒中设置有能上下升降的第一升降板,第一升降板上开设有若干通孔,所述的第一处理容器的内壁处水平固定有固定板,所述的固定板的下表面固定有调节气缸,所述的调节气缸的活塞杆竖直向下,且活塞杆端部固定在第一升降板上;在机架上还固定有导轨,所述的导轨处于第一处理容器、第二处理容器和第三处理容器上方,在导轨中设置有滑块,滑块下部设置有升降气缸,升降气缸的活塞杆竖直向下,在升降气缸的活塞杆下端固定有取放机械手,所述的滑块与一能带动其沿着导轨来回移动的移动机构相连接,所述的移动机构包括螺母、丝杆、电机和轴承,电机固定在机架上,丝杆一端与电机的输出轴相固定,丝杆另一端通过轴向固定且周向转动的方式固定在机架上,所述的螺母螺纹连接在丝杆上,轴承套设并固定在螺母外,轴承外设置有轴承座,轴承座和滑块相互固定,在第二处理容器中装有氢氧化钠溶液,在第二处理容器中还设置有搅拌装置,在第二处理容器中设置有pH传感器,在第三处理容器的内壁处固定有对称的喷管一和喷管二,喷管一倾斜向下,喷管一与第三处理容器的内壁之间的夹角为30°-45°,喷管一的出口一位于下方,出口一处安装有喷头一,喷管一的进口一与输送管一相连通,输送管一的另一端与能提供去离子水的供水机构一相连接;喷管二倾斜向下,喷管二与第三处理容器的内壁之间的夹角为30°-45°,喷管二的出口二位于下方,出口二处安装有喷头二,喷管二的进口二与输送管二相连通,输送管二的另一端与能提供去离子水的供水机构二相连接;所述的供水机构一包括供水桶一和水泵一,在供水桶一中装有去离子水,在供水桶一中设置有液位传感器一,水泵一的进水管与供水桶一相连通,水泵一的出水管与输送管一相连通,所述的供水机构二包括供水桶二和水泵二,在供水桶二中装有去离子水,在供水桶二中设置有液位传感器二,水泵一的进水管与供水桶二相连通,水泵二的出水管与输送管二相连通。
2.根据权利要求1所述的多晶四阻栅电池片的处理装置,其特征在于,所述的第三处理容器的底壁与回流管一相连通,回流管一的另一端与供水桶一相连通,第三处理容器的底壁与回流管二相连通,回流管二的另一端与供水桶二相连通。
3.根据权利要求2所述的多晶四阻栅电池片的处理装置,其特征在于,所述的搅拌装置包括安装支架、搅拌电机和搅拌叶片,安装支架固定在第二处理容器的内壁处,搅拌电机固定在安装支架下部处,搅拌电机的输出轴向下设置,搅拌叶片固定在搅拌电机的输出轴上。
4.根据权利要求1所述的多晶四阻栅电池片的处理装置,其特征在于,在机架上还设置有吹干装置,所述的吹干装置包括氮气桶、输送泵、抽气泵和具有开口的吹干桶,氮气桶的出气口与出气管相连通,出气管的另一端与吹干桶相连通,且出气管上设置有输送泵;氮气桶的进气口与进气管相连通,进气管的另一端与吹干桶相连通,所述的吹干桶上还设置有当取放机械手处于吹干桶内时密闭开口的密闭机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造