[发明专利]多晶四阻栅电池片的处理方法及其处理装置

说明书

本发明提供了一种多晶四阻栅电池片的处理方法及其处理装置，属于电子技术领域。它解决了现有技术中的方法和装置不能自动化的对多晶四阻栅电池片进行有效处理等问题。本多晶四阻栅电池片的处理装置，包括机架，机架固定有第一处理容器、第二处理容器、第三处理容器，第一处理容器设有第一处理筒，第一处理筒设有第一升降板，机架固定导轨，导轨设有滑块，滑块设有升降气缸，升降气缸固定有取放机械手，滑块与移动机构相连接，移动机构包括螺母、丝杆、电机和轴承，第二处理容器中设有搅拌装置，第三处理容器有喷管一和喷管二。本发明具有能对电池片进行有效处理，且处理效率高的优点。

技术领域

本发明属于电子技术领域，涉及一种多晶四阻栅电池片，特别是多晶四阻栅电池片的处理方法及其处理装置。

背景技术

多晶四阻栅电池片是市场上现有的电池片的一种，它的主要材料是多晶硅，兼具单晶硅电池的高转换效率和长寿命以及非晶硅薄膜电池的材料制备工艺相对简化等优点的新一代电池，其转换效率一般为12％左右，稍低于单晶硅太阳电池，没有明显效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池。

目前，现有的对多晶四阻栅电池片处理方法中，并不能有效的对多晶四阻栅电池片进行化学处理，从而最大限度的提高其性能。同时，对多晶四阻栅电池片处理时，自动化程度低，往往会需要过多的人力资源，且有些化学物质还对人体有害，容易带来不必要的安全隐患。

所以，对于本领域内的技术人员，还有待研发出一种能够自动化的对多晶四阻栅电池片进行有效处理的方法和装置。

发明内容

本发明的第一个目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了多晶四阻栅电池片的处理方法，该处理方法具有能够对多晶四阻栅电池片进行有效处理的特点。

本发明的第一个发明目的可通过下列技术方案来实现：多晶四阻栅电池片的处理方法，该处理方法包括以下步骤：

(1)用浓度为40％的氢氟酸溶液60mL，浓度为50％的硝酸溶液28mL，以及浓度为25％的双氧水溶液30mL，使三者溶液混合均匀；

(2)用上述混合溶液对多晶四阻栅电池片进行浸泡，浸泡时间为15-20s，去除表面机割损伤层；

(3)取浓度为45％的氢氧化钠溶液30mL清洗表面污染物；

(4)然后用去离子水对多晶四阻栅电池片进行清洗，氮气吹干。

该方法采用的氢氟酸溶液、硝酸溶液和双氧水溶液的混合溶液来去除多晶四阻栅电池片表面机械损伤层，形成起伏不平的绒面，从而增加太阳光的吸收；然后，利用氢氧化钠溶液来清洗多晶四阻栅电池片表面的氧化层，增加多晶四阻栅电池片表面的脱水性质；最后离子水对多晶四阻栅电池片进行最后的清洗并用氮气吹干。

本发明的第二个发明目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种多晶四阻栅电池片的处理装置，该处理装置具有处理效率高的特点。