[发明专利]高功率发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，所述发光装置包括：

基底，包括第一引线和第二引线；

发光二极管，设置在基底的第一引线之上，发光二极管包括第二导电类型半导体层、设置在第二导电类型半导体层之上的活性层、以及设置在活性层之上第一导电类型半导体层，并被构造为发射近紫外光；以及

波长转换单元，设置在发光二极管之上，

其中，发光二极管包括：

至少一个槽，被构造为形成在发光结构的下表面中，并且暴露第一导电类型半导体层的一部分；

第一电极，被构造为电连接到被所述至少一个槽暴露的第一导电类型半导体层并且设置在发光结构的下面；

第二电极，设置在第二导电类型半导体层的下表面的下面，并具有被部分地暴露的上表面，

其中，发光二极管具有半极性或非极性生长表面，

波长转换单元包括包含第一磷光体层和设置在第一磷光体层上的第二磷光体层的多层结构，

发光二极管被构造为以等于或大于350mA/mm²的电流密度来驱动。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中，第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层包括氮化物基半导体层，所述氮化物基半导体层具有m-面、a-面或半极性晶面的生长表面。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中，发光二极管还包括设置在暴露第二电极的区域上的第二电极焊盘。

4.如权利要求3所述的发光装置，其中，第一电极电连接到第一引线，第二引线电连接到第二电极焊盘。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中，第二电极包括反射层和覆盖反射层的覆盖层，

第二电极的被部分地暴露的部分是覆盖层的部分。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中，发光二极管被构造为发射具有峰值波长在380nm至420nm范围的光。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中，第一磷光体层包括红色磷光体，第二磷光体层包括青色磷光体。

8.如权利要求7所述的发光装置，其中，第一磷光体层具有包括多个凸起和多个凹陷的上表面。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中，波长转换单元还包括设置在第二磷光体层上的第三磷光体层，

第一磷光体层、第二磷光体层和第三磷光体层中的每个磷光体层分别包括红色磷光体、绿色磷光体和蓝色磷光体。

10.如权利要求9所述的发光装置，其中，第一磷光体层和/或第二磷光体层包括形成在其上表面上的多个凸起和多个凹陷。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括：

反射器，设置在基底上并包围发光二极管的侧面，

其中，波长转换单元具有板形状并被反射器支撑。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中，波长转换单元与发光二极管分隔开，

从发光二极管的上表面到波长转换单元的下表面的分隔距离是发光二极管的厚度的0.5至5.0倍。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括：

包封单元，覆盖发光二极管，

其中，波长转换单元设置在包封单元上。

14.如权利要求1所述的发光装置，其中，基底还包括上绝缘基底和下绝缘基底，

第一引线包括第一上导电图案、第一中间导电图案、第一下导电图案、第一上通路和第一下通路，

第二引线包括第二上导电图案、第二中间导电图案、第二下导电图案、第二上通路和第二下通路，

第一上导电图案和第二上导电图案设置在上绝缘基底上并且彼此分隔开，第一中间导电图案和第二中间导电图案设置在上绝缘基底和下绝缘基底之间并且彼此分隔开，第一下导电图案和第二下导电图案设置在下绝缘基底的下表面的下面，

第一上通路和第一下通路中的每个分别穿透上绝缘基底和下绝缘基底，以将第一上导电图案、第一中间导电图案和第一下导电图案之间电连接，

第二上通路和第二下通路中的每个分别穿透上绝缘基底和下绝缘基底以将第二上导电图案、第二中间导电图案和第二下导电图案之间电连接。