[发明专利]高功率发光装置

说明书

本专利文件要求于2014年8月6日提交的第10-2014-0101156号韩国专利申请的优先权和利益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本专利文件所公开的内容涉及一种高功率发光装置和一种制造高功率发光装置的方法，所述高功率发光装置能够防止波长转换单元在以高电流密度操作时效率下降和劣化。

背景技术

发光二极管已经应用于各种光源应用。具体地，已经广泛地使用了由氮化物基半导体制成的发光二极管。

近来，随着对高功率发光二极管的需求增长，已经增加了对具有优异的散热效率和高发光效率的垂直发光二极管的需求。垂直发光二极管将生长基底从半导体层分离以增大分离的表面的粗糙度，从而增加了光提取效率。此外，垂直发光二极管将金属基底附于P型半导体层的整个表面之上，以增加散热效率。因此，垂直发光二极管能够应用于以高电流密度驱动的高功率发光二极管。

发明内容

本公开将要提供一种高功率发光装置及其制造方法，其中，所述高功率发光装置在以高密度电流驱动时具有优异的效率、可靠性和发光特性。

根据本公开的一些示例性实施例，发光装置包括：基底，包括第一引线和第二引线；发光二极管，设置在基底的第一引线上，包括第二导电类型半导体层、设置在第二导电类型半导体层上的活性层以及设置在活性层上的第一导电类型半导体层，并发射近紫外光；波长转换单元，设置在发光二极管上，其中，发光二极管具有半极性或非极性的生长表面，波长转换单元具有包括第一磷光体层和设置在第一磷光体层上的第二磷光体层的多层结构，并且发光二极管以等于或大于350mA/mm²的电流密度来驱动。

能够提供一种高功率发光装置，所述高功率发光装可以以高电流密度来驱动，可以具有优异的可靠性，并且可以均匀地发射光以具有优异的发光特性。

第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和活性层可以包括氮化物基半导体层，所述氮化物基半导体层可以具有m-面、a-面或半极性晶面的生长表面。

发光二极管可以包括：至少一个槽，形成在发光结构的下表面中并且暴露第一导电类型半导体层的一部分；第一电极，被构造为电连接到被所述至少一个槽暴露的第一导电类型半导体层，并且被构造为设置在发光结构的下面；第二电极，设置在第二导电类型半导体层的下表面，并具有被部分暴露的上表面。

发光二极管还可以包括设置在暴露第二电极的区域上的第二电极焊盘。

第一电极可以电连接到第一引线，第二引线可以电连接到第二电极焊盘。

第二电极可以包括反射层和覆盖反射层的覆盖层，第二电极的被部分地暴露的部分可以是覆盖层的部分。

活性层可以发射具有峰值波长在380nm至420nm范围的光。

第一磷光体层可以包括红色磷光体，并且第二磷光体层可以包括青色磷光体。

第一磷光体层可以具有包括多个凸起和多个凹陷的上表面。

波长转换单元还可以包括设置在第二磷光体层上的第三磷光体层，并且第一磷光体层至第三磷光体层均可以包括红色磷光体、绿色磷光体和蓝色磷光体。

第一磷光体层和/或第二磷光体层可以具有形成在其上表面上的多个凸起和多个凹陷。

发光装置还可以包括设置在基底上并且包围发光二极管的侧面的反射器，其中，波长转换单元具有板形状并被反射器支撑。

波长转换单元可以与发光二极管分隔开，并且从发光二极管的上表面到波长转换单元的下表面的分隔距离可以是发光二极管的厚度的0.5至5.0倍。

发光装置还可以包括：包封单元，覆盖发光二极管，其中，波长转换单元设置在包封单元上。

基底还可以包括上绝缘基底和下绝缘基底，第一引线可以包括第一上导电图案、第一中间导电图案、第一下导电图案、第一上通路和第一下通路，第二引线可以包括第二上导电图案、第二中间导电图案、第二下导电图案、第二上通路和第二下通路，第一上导电图案和第二上导电图案可以彼此分隔开地设置在上绝缘基底上，第一中间导电图案和第二中间导电图案可以彼此分隔开地设置在上绝缘基底和下绝缘基底之间，第一下导电图案和第二下导电图案可以设置在下绝缘基底的下表面的下面，第一上通路和第一下通路中均可以分别穿透上绝缘基底和下绝缘基底，以将第一上导电图案、第一中间导电图案和第一下导电图案之间电连接，第二上通路和第二下通路均可以分别穿透上绝缘基底和下绝缘基底，以将第二上导电图案、第二中间导电图案和第二下导电图案之间电连接。