[发明专利]一种使晶片变薄的加工方法

权利要求书

1.一种使晶片变薄的加工方法，其特征在于，该方法包括：

提供晶片；

利用黏着层将所述晶片的正面接合于承载晶片上，所述黏着层包括热释放胶带或紫外线胶带；以及

进行晶片薄化工艺，由所述晶片的背面薄化所述晶片；

所述晶片薄化工艺包括等离子体蚀刻工艺和/或研磨抛光工艺和/或化学蚀刻工艺。

2.如权利要求1所述的一种使晶片变薄的加工方法，其特征在于，还包括在所述晶片薄化工艺后对所述晶片进行厚度测量工艺。

3.如权利要求1所述的一种使晶片变薄的加工方法，其特征在于，还包括在所述晶片薄化工艺后在所述晶片的所述背面上形成背面图案。

4.如权利要求3所述的一种使晶片变薄的加工方法，其特征在于，所述背面图案包括：

在所述晶片的所述背面形成屏蔽图案；

进行蚀刻工艺，蚀刻未被所述屏蔽图案覆盖的所述晶片；以及

去除所述屏蔽图案。

5.如权利要求1所述的一种使晶片变薄的加工方法，其特征在于，所述蚀刻工艺包括各向异性蚀刻工艺。

6.如权利要求5所述的一种使晶片变薄的加工方法，其特征在于，所述蚀刻工艺蚀穿所述晶片。

7.如权利要求4所述的一种使晶片变薄的加工方法，其特征在于，还包括在形成所述背面图案后，移除所述黏着层，使所述晶片脱离所述承载晶片。