[发明专利]一种使晶片变薄的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄化晶片的方法，特别是涉及一种利用热释放胶带或紫外线胶带作为黏着层将晶片固定于承载晶片上，由此提升晶片薄化的厚度极限的方法，属于晶片加工技术领域。

背景技术

许多半导体组件与微机电组件，基于功能考虑或是尺寸需求，必须进行芯片薄化工艺，以将芯片缩减至适当厚度。现行薄化芯片的方法受限于机器的承载机构，例如静电夹盘，因此芯片厚度的极限仅能达到约100微米，一旦厚度过薄，芯片极易产生破裂问题。

因此，必须精准控制晶片的厚度，保证产品的质量。

发明内容

为了克服上述现有技术中存在的技术缺陷，本发明的目的在于提供一种使晶片变薄的加工方法，以避免晶片破裂并提升晶片厚度的极限。

为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下：

一种使晶片变薄的加工方法，该方法包括：

提供晶片；

利用黏着层将所述晶片的正面接合于承载晶片上，所述黏着层包括热释放胶带或紫外线胶带；以及

进行晶片薄化工艺，由所述晶片的背面薄化所述晶片；

所述晶片薄化工艺包括等离子体蚀刻工艺和/或研磨抛光工艺和/或化学蚀刻工艺。

优选的，还包括在所述晶片薄化工艺后对所述晶片进行厚度测量工艺。

其中，还包括在所述晶片薄化工艺后在所述晶片的所述背面上形成背面图案。

其中具体的，所述背面图案包括：

在所述晶片的所述背面形成屏蔽图案；

进行蚀刻工艺，蚀刻未被所述屏蔽图案覆盖的所述晶片；以及

去除所述屏蔽图案。

优选的，所述蚀刻工艺包括各向异性蚀刻工艺。

进一步的，所述蚀刻工艺蚀穿所述晶片。

优选的，还包括在形成所述背面图案后，移除所述黏着层，使所述晶片脱离所述承载晶片。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1)利用热释放胶带或紫外线胶带接合晶片与承载晶片，可有效保护晶片正面的元件并解决晶片薄化后不易固定传输的问题；

2)薄化后的晶片在不需去除热释放胶带或紫外线胶带的情况下即可进行后续工艺，可避免晶片受损；

3)晶片薄化工艺可依据规格需求加以调整，并可有效解决应力问题；

4)热释放胶带或紫外线胶带具有易分离特点，可避免晶片破裂。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明的技术方案做进一步详细的描述说明。

本实施例首先提供一晶片，其包括正面与背面。本实施例的晶片为在其正面已制作出所需的半导体元件或微机电元件，并待薄化的晶片，然而本发明的方法并不限于此，而可应用于任何半导体工艺或微机电工艺中所需的晶片薄化工艺中。

接着提供承载晶片，例如半导体晶片、玻璃晶片、塑料晶片或石英晶片，并利用黏着层将晶片的正面贴附于承载晶片的表面，其中本发明使用热释放胶带或紫外线胶带作为黏着层的材料。热释放胶带的特性在于可利用加热方式去除其黏性，因此当温度到达其释放温度(约为150至200℃)时，即可轻易在不损伤晶片的情况下，使晶片自承载晶片的表面脱离。紫外线胶带则可利用照射特定波长的紫外线的方式丧失其黏性，同样具有可轻易在不损伤晶片的情况下，使晶片自承载晶片的表面脱离的特性。因此，本发明薄化晶片的方法利用热释放胶带或紫外线胶带作为黏着层的作法，使得后续即使晶片的厚度被薄化至极薄的情况下，晶片也不会在去除黏着层时受损。