[发明专利]一种晶片测试方法在审
申请号: | 201510480909.6 | 申请日: | 2015-08-08 |
公开(公告)号: | CN105118795A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 施勇 | 申请(专利权)人: | 海门市明阳实业有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226141 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 测试 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体测试方法,尤其涉及一种晶片测试方法,属于半导体测试技术领域。
背景技术
目前在晶片(wafer)测试中,一般的做法是预先把被测晶片的信息(测试mapping(映象),同测数量及方向等)和晶片测试时探针台系统托盘(probestationchuck)的走向存储到服务器上;测试晶片时,探针台系统(probestation)从服务器上取得晶片的品种参数,探针台系统根据制定好的走向信息进行定位,然后扎针,探针台系统把要测试的die(wafer上的晶圆)数和可以开始测试的信息发送给测试仪,测试仪收到信息和命令后开始测试,一个step(移动位置)测试结束后,测试仪把测试结果发送回探针台系统;探针台系统把针移开,根据走向信息探针台系统把针移到相应的位置(下一个step),扎针,测试,如此探针移动位置循环直到wafer测试结束。在设定探针台系统的走向信息往往是通过人工进行设置的,其缺点是明显的,如下所示:
1.通过人工设定走向信息,依赖人员的经验和多次试验才能确定。这种方法浪费人力,而且,最后计算出来的走向不一定是最优化的。
2.当计算出来的走向信息不是最优化时,且wafer上晶圆的数目较多时,因为走向的关系,在同测时,造成较多的冗余扎针次数,从而浪费较多的测试时间。
目前在探针台系统中能设置的走向为上下和左右的走向方式,而当探针卡为斜线排列同测的设计时,要比探针卡为矩形排列同测的设计时,在wafer测试中会导致更多的冗余扎针次数,从而浪费较多的测试时间。当探针卡为斜线排列同测的设计时,探针台系统托盘设置为斜线走向方式为最优化走向方式,在目前的探针台系统中不能设置。
因此,急需提供一种新型的晶片测试方法,以满足现在的测试需求。
发明内容
为了克服上述现有技术中存在的技术缺陷,本发明的目的在于提供一种晶片测试方法,采用该方法能实现对晶片测试的最优化,减少了在同测时对晶片的扎针次数,有效减少产品测试时间,提高测试效率。
为了实现上述发明目的,本发明的技术方案如下:
一种晶片测试方法,包括如下步骤:
步骤1:根据晶片及探针卡的信息,计算同测时探针台系统托盘的最短走向,并储存数据;
步骤2:测试仪把走向方式的信息通过GPIB接口给探针台系统发送命令,控制探针台系统托盘的走向;
步骤3:探针台系统取得测试仪的走向信息后,探针台系统托盘移动到的相应位置,扎针,然后探针台系统给测试仪发送可以开始测试的信息;
步骤4:测试仪收到开始测试的命令后,测试程序开始测试,测试完毕后,把测试结果和一个移动位置测试结束的命令发送给探针台系统,探针台系统收到信息后,把针移开,等待接收下一个移动位置的坐标信息;
步骤5:探针台系统和测试仪重复步骤2至步骤4的操作,直到测试仪给探针台系统发送整枚晶片测试完毕的信息。
步骤6:对完成测试后的数据信息进行筛选和校准。
作为优选方案之一,步骤2中所述的测试仪把走向方式的信息通过GPIB接口给探针台系统发送命令具体为:探针台系统装载好晶片后,给测试仪发送等待接收坐标信息的命令;测试仪接收到可以发送坐标信息的命令后,根据测试的走向信息取得一个移动位置的坐标参数信息,然后测试仪把坐标信息通过GPIB接口发送给探针台系统。
优选的,在步骤6中使用筛选侦测机构对所取得的测试数据进行筛选判断,并与一储存原始数据进行校准核对。
其中,当与储存原始数据进行校准核对后,发现数据显示异常的,重复测试动作,没有发现异常的,测试结束。
进一步的,该测试方法还提供一用于显示数据的显示屏。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明利用软件自动计算wafer测试的最短走向,然后测试仪把走向的方式通过GPIB接口给探针卡系统发送命令,控制探针台系统托盘的走向,实现对wafer测试的最优化,减少了在同测时对wafer的扎针次数,从而缩短了wafer的测试时间,提高了测试效率,节省了人力成本。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明的技术方案做进一步详细的描述说明。
本实施例提供一种晶片测试方法,包括如下步骤:
1.自动计算wafer测试的最短走向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造