[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：

对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；

对所述半导体基板的给予所述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少所述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比所述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；

对给予了所述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；以及

在所述部分区域上形成电极的工序。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述p型杂质包含选自硼B、铝Al及Ga镓中的至少1种元素。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其中，所述含p型杂质的玻璃粉末含有：

选自B₂O₃、Al₂O₃及Ga₂O₃中的至少1种含p型杂质的物质；以及

选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V₂O₅、SnO、ZrO₂、TiO₂及MoO₃中的至少1种玻璃成分物质。