[发明专利]太阳能电池的制造方法

说明书

本发明是申请号为2011800488630的申请的分案，母案申请日为2011年11月15日，母案发明名称同上。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的制造方法。

背景技术

在以往的具有pn结的太阳能电池单元的制造中，例如在硅等n型半导体基板上扩散p型杂质而形成p型扩散层，由此形成pn结。

尤其是作为以提高转换效率为目的的太阳能电池单元的结构，已知有使电极正下方以外的部分的区域中的杂质浓度比电极正下方的杂质浓度低的选择性发射极(selectiveemitter)结构(参照例如L.Debarge,M.Schott,J.C.Muller,R.Monna、SolarEnergyMaterials&SolarCells74(2002)71-75)。在该结构中，由于在电极正下方形成杂质浓度高的区域(以下，将该区域也称为“选择性发射极”)，因此可以降低金属电极与硅的接触电阻。另一方面，在金属电极部分以外，杂质浓度变低，可以提高太阳能电池的转换效率。

为了形成如上述那样的选择性发射极结构，需要将多次扩散和利用掩模的部分蚀刻等组合的复杂的工序(例如参照日本特开2004－193350号公报)。

此外，还提出了利用喷墨法将多种杂质浓度的扩散剂分开涂于基板、扩散杂质的方法(例如参照日本特开2004－221149号公报)。

发明内容

发明要解决的课题

但是，在日本特开2004－193350号公报记载的方法中，为了形成选择性发射极结构而需要用于形成图案、蚀刻的工序，存在工序数增多的倾向。此外，在日本特开2004－221149号公报记载的喷墨法中，需要具有多个喷头的专用装置，来自各喷头的喷射的控制也变得复杂。

本发明的课题在于，提供一种太阳能电池的制造方法，其无需复杂的装置而利用简便的方法即可制造具有选择性发射极结构的太阳能电池。

用于解决课题的手段

本发明包含以下技术方案。

＜1＞一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、且至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；以及在上述部分区域上形成电极的工序。

＜2＞根据上述＜1＞所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述p型杂质包含选自B(硼)、Al(铝)及Ga(镓)中的至少1种元素。

＜3＞根据上述＜1＞或＜2＞所述的太阳能电池的制造方法，其中，上述含p型杂质的玻璃粉末含有：选自B₂O₃、Al₂O₃及Ga₂O₃中的至少1种含p型杂质的物质；以及选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V₂O₅、SnO、ZrO₂、TiO₂及MoO₃中的至少1种玻璃成分物质。

发明效果

根据本发明，能够提供一种太阳能电池的制造方法，其无需复杂的装置而利用简便的方法即可制造具有选择性发射极结构的太阳能电池。

具体实施方式

本说明书中，“工序”这一用语不仅为独立的工序，即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要能达成该工序的预期作用，也包含在本用语中。此外，本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示包含“～”的前后记载的数值分别作为最小值及最大值的范围。进而，本说明书中，在组合物中属于各成分的物质存在多种时，只要无特别说明，组合物中的各成分的量均指组合物中存在的该多种物质的总量。