[发明专利]图像传感器的晶圆级封装方法在审
申请号: | 201510486673.7 | 申请日: | 2015-08-11 |
公开(公告)号: | CN105097861A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 肖智轶;黄小花;万里兮;王晔晔;项敏;翟玲玲 | 申请(专利权)人: | 华天科技(昆山)电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人: | 盛建德;段新颖 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 晶圆级 封装 方法 | ||
1.一种图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于:按以下步骤实施:
A、提供一晶圆封装结构,该晶圆封装结构包括具有若干图像传感器的晶圆和一封装盖板(1),所述封装盖板上粘合有对应每个图像传感器的感光区的支撑围堰(2),所述晶圆通过所述支撑围堰与所述封装盖板键合在一起;相邻两图像传感器之间具有切割道(13),定义所述封装盖板所在的一面为所述晶圆封装结构的第一表面(101),与所述第一表面相对的另一面为所述晶圆封装结构的第二表面(102);
B、采用一第一切割刀(7)沿相邻两图像传感器之间的切割道,由所述第一表面切进所述支撑围堰,形成第一切割槽(11),使所述封装盖板与所述支撑围堰部分粘结;
C、采用一第二切割刀(8)沿相邻两图像传感器之间的切割道,由所述第二表面切进所述支撑围堰,形成第二切割槽(12),所述第二切割槽的槽底与所述第一切割槽的槽底贯通,形成单颗图像传感器;
D、借助外部条件将步骤C单颗图像传感器中部分粘结的所述封装盖板与所述支撑围堰分离开。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于:先采用第二切割刀由所述第二表面切进所述支撑围堰,再采用第一切割刀由所述第一表面切进所述支撑围堰。
3.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于:通过施加外力的方式将步骤D中封装盖板与支撑围堰分离开,或者通过先加热再施加外力的方式将步骤D中封装盖板与支撑围堰分离开,或者通过先进行激光辐照再施加外力的方式将步骤D中封装盖板与支撑围堰分离开。
4.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于,步骤D中,所述盖板在图像传感器的模组组装过程中,与所述支撑围堰分离开。
5.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于:所述支撑围堰的材料包括光致抗蚀剂材料、环氧树脂或聚酰亚胺树脂。
6.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法,其特征在于:在步骤B或步骤C切割过程中,在非切割面贴一胶带(9)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技(昆山)电子有限公司,未经华天科技(昆山)电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510486673.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的