[发明专利]基板加热装置和基板加热方法有效
申请号: | 201510486773.X | 申请日: | 2015-08-10 |
公开(公告)号: | CN105374711B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 水田诚人;高柳康治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/16 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;王雪燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 | ||
1.一种基板加热装置,其特征在于,包括:
多个加热模块,其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理的加热板的处理容器、用于将清洁用的气体取入到该处理容器内的处理氛围中的供气口、和对所述处理氛围进行排气的排气口;
单独排气路径,其与所述多个加热模块各自的排气口连接;
共用排气路径,所述多个加热模块的各单独排气路径的下游端公共地连接在共用排气路径上;
分支路径,其分支地设置于所述各单独排气路径,在所述处理容器的外部开口;
排气量调节部,其用于调节从所述排气口侧排出到所述共用排气路径的排气量与从所述处理容器的外部经由所述分支路径取入到所述共用排气路径的取入量的流量比;和
控制部,其输出用于调节所述排气量调节部的流量比率的控制信号,来选择以低的排气量对所述处理氛围内进行排气的低排气状态和以比所述低的排气量多的排气量对所述处理氛围内进行排气的高排气状态,
所述控制部控制所述排气量调节部,以使得在所述基板被载置在加热板后,至经过预先设定的时间为止或者至基板的温度成为预先设定的温度为止设为低排气状态,之后设为高排气状态。
2.如权利要求1所述的基板加热装置,其特征在于:
所述排气口与所述加热板的基板载置区域的中央部相对地设置在所述处理容器的顶壁部,
所述供气口沿着加热板的周向设置,以使得从所述基板载置区域的周缘侧将清洁用的气体取入到处理氛围中。
3.如权利要求1所述的基板加热装置,其特征在于,包括:
所述控制部控制所述排气量调节部,以使得在所述基板被载置在加热板后,至经过包括由于涂敷于基板的涂敷液的粘性低若设为高的排气状态则膜厚的面内均匀性变差的时间段的时间为止设为低排气状态,之后为了将来自涂敷膜的升华物排出而设为高排气状态。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,包括:
所述控制部输出控制信号,以使得通过逐渐改变所述排气量调节部的流量比,来进行从所述低排气状态向高排气状态的切换。
5.如权利要求1~3中任一项所述的基板加热装置,其特征在于:
所述低排气状态中的排气量为0.16升/分钟以下。
6.如权利要求1~3中任一项所述的基板加热装置,其特征在于:
所述供气口包括用于将清洁气体供给到处理容器内的气体供给路径的排出口。
7.如权利要求6所述的基板加热装置,其特征在于:
所述供气口还包括取入作为所述处理容器外的清洁用的气体的外部气体的取入口。
8.如权利要求6所述的基板加热装置,其特征在于:
在所述气体供给路径设置有对清洁气体进行加热的气体加热部。
9.如权利要求1~3任一项所述的基板加热装置,其特征在于:
载置于所述加热板的基板的表面的涂敷膜为以碳为主要成分的膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造