[发明专利]基板加热装置和基板加热方法

说明书

本发明提供基板加热装置，包括：多个加热模块，其包括对基板进行处理的处理容器；和与各加热模块共用的排气路径，该基板加热装置高精度控制各加热模块中的排气量。基板加热装置包括：多个加热模块，各自包括用于对上述处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口和对处理氛围进行排气的排气口；与各个排气口连接的单独排气路径；与各单独排气路径的下游端共同连接的共用排气路径；分支地设于各单独排气路径的、在处理容器的外部开口的分支路径；和排气量调节部，其调节从排气口侧排出到共用排气路径的排气量和从处理容器的外部经由分支路径取入到共用排气路径的取入量的流量比。由此抑制从各单独排气路径向共用排气路径的气体流量的变动。

技术领域

本发明涉及对载置于加热板的基板进行加热的基板加热装置、基板加热方法和存储计算机程序的存储介质。

背景技术

在半导体器件的制造步骤中，包括利用加热装置对在表面涂敷有药液的作为基板的半导体晶片(以下记为“晶片”)进行加热处理的步骤。该加热处理为了除去从药液产生的升华物，有时一边将晶片载置于在处理容器内设置的加热板上一边对该处理容器内进行排气。例如在具有分层结构的半导体制造装置中，有时按各层设置那样的加热装置，在各层设置有各自包括上述处理容器的多个加热模块。而且，例如设置于相同的层的各处理容器经由具有风挡(damper)的排气管分别与共同的排气管道连接，该排气管道内以规定的排气量排气。

在上述加热模块中，为了实现提高晶片的面内的膜厚的均匀性和将升华物从处理容器内可靠地除去这两者，研究在一个晶片的处理中改变处理容器内的排气量。但是，在上述的加热装置中，当改变一个处理容器的排气量时，有时与该处理容器共有排气管道的其它的处理容器的排气量发生变动，在该其它的处理容器内上述的升华物的除去能力降低，膜厚的均匀性降低。

关于上述的处理容器的排气量的变动，说明排气管道与三个处理容器连接的情况的一个例子。在排气管道内以30L/分钟进行排气，各处理容器在与各处理容器连接的排气管的风挡打开的状态下例如以10L/分钟进行排气。从该状态开始与一个处理容器连接的排气管的风挡关闭，而该处理容器的排气量成为0L/分钟时，由于排气管道内以30L进行排气，所以在其它的两个处理容器中排气量上升至30/2＝15L/分钟。

在专利文献1中记载有在晶片的处理中改变对处理容器内供给的清洁气体的供给量的加热装置。另外，专利文献2中记载有液处理装置，其中，多个杯部经由具有风挡的排气管与共同的排气管道连接，各杯部的排气量分别被单独控制的。但是，这些装置并不能够解决上述的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-184682号公报

专利文献2：日本特开2010-45185号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是基于上述这样的情况而完成的，其目的在于提供一种包括具有对基板进行处理的处理容器的多个加热模块和与各加热模块共通的排气路径的基板加热装置，其高精度地控制各加热模块中的排气量。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的基板加热装置，其特征在于，包括：

多个加热模块，其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理的加热板的处理容器、用于对该处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口、和对上述处理氛围进行排气的排气口；

单独排气路径，其与上述多个加热模块各自的排气口连接；

共用排气路径，其与上述多个加热模块的各单独排气路径的下游端共同连接；

分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容器的外部开口；和