[发明专利]一种多孔碳化硅球形粉末的制备工艺有效
| 申请号： | 201510487102.5 | 申请日： | 2015-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN105084364B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 夏鸿雁;杨少辉;史忠旗;王继平;乔冠军;王红洁;杨建锋 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C04B35/626;C04B35/565 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 碳化硅 球形 粉末 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种多孔碳化硅球形粉末的制备工艺，其特征在于，包括下述步骤：
(1)根据碳与硅反应生成碳化硅的反应方程式，将中间相碳微球和硅粉按摩尔比1:(1～0.3)进行称量，置于无水乙醇溶液中混合均匀；
(2)将混合料干燥，过100-300目筛孔后模压成型为料块；
(3)将料块置于真空烧结炉内，升温至1420-1500℃，保温10-30min烧结，随炉冷却；
(4)将真空烧结后的料块取出，置于空气烧结炉内，于500-800℃、保温1-6h进行氧化处理；
(5)将氧化处理后的料块破碎，过筛，得到多孔碳化硅球形粉末；其主成分为β-SiC；
所述中间相碳微球为未经过高温处理的生球，粒度为1-40μm；所述硅粉的粒度为1-10μm；
所述真空烧结，升温速率为100-300℃/h。
2.如权利要求1所述的多孔碳化硅球形粉末的制备工艺，其特征在于，所述混合采用超声波，时间不少于30min。
3.如权利要求1所述的多孔碳化硅球形粉末的制备工艺，其特征在于，所述模压成型，压力为50-150MPa。
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