[发明专利]快速测试晶圆电性用的转接板工艺和转接板结构在审
| 申请号： | 201510487383.4 | 申请日： | 2015-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN105137317A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/02 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 快速 测试 晶圆电性用 转接 工艺 板结 | ||
1.一种快速测试晶圆电性用的转接板工艺，其特征在于，包括下述步骤：
步骤S1，提供一待测晶圆(1)，待测晶圆(1)上分布有多个芯片(10)；在每个芯片(10)上分布有导电点(101)；
步骤S2，将待测晶圆(1)上各芯片(10)需要进行测试连接的输入型导电点(1011)进行筛选归类；相同输入电性条件的输入型导电点(1011)归为同一类；
步骤S3，提供一转接板(3)，在转接板(3)正面和背面分别制作正面电连接点(301)和背面电连接点(302)，转接板的正面电连接点(301)和背面电连接点(302)通过TSV工艺形成的TSV孔(303)导通；转接板的背面电连接点(302)与待测晶圆(1)上芯片(10)的导电点(101)位置相对应；在转接板背面进行RDL再布线工艺，将与待测晶圆(1)上具有相同输入电性条件的输入型导电点(1011)所对应的转接板背面电连接点(302)并联；
步骤S4，通过键合胶(4)，使用临时键合工艺将待测晶圆(1)和转接板(3)背面键合，使得待测晶圆(1)上芯片(10)的导电点(101)与转接板(3)的背面电连接点(302)电连接，从而将芯片(10)上的需测试连接的导电点引接至转接板(3)的正面电连接点(301)。
2.如权利要求1所述的快速测试晶圆电性用的转接板工艺，其特征在于：
转接板(3)的正面电连接点(301)位于TSV孔(303)上方。
3.如权利要求1所述的快速测试晶圆电性用的转接板工艺，其特征在于：
转接板(3)正面设正面再布线结构，转接板(3)的正面电连接点(301)位于正面再布线结构走线连接的焊盘上。
4.一种快速测试晶圆电性用的转接板结构，其特征在于：
转接板(3)正面和背面分别制作有正面电连接点(301)和背面电连接点(302)，转接板的正面电连接点(301)和背面电连接点(302)通过TSV工艺形成的TSV孔(303)导通；转接板的背面电连接点(302)与待测晶圆(1)上芯片(10)的导电点(101)位置相对应；在转接板背面进行RDL再布线工艺形成背面RDL再布线层(304)，将与待测晶圆(1)上具有相同输入电性条件的输入型导电点(1011)所对应的转接板背面电连接点(302)并联；
转接板(3)的正面电连接点(301)位置与针卡(2)上的探针(201)位置相对应；
转接板(3)背面通过临时键合胶(4)与待测晶圆(1)键合，使得待测晶圆(1)上芯片(10)的导电点(101)与转接板(3)的背面电连接点(302)电连接，从而将芯片(10)上的需测试连接的导电点引接至转接板(3)的正面电连接点(301)。
5.如权利要求1所述的快速测试晶圆电性用的转接板结构，其特征在于：
转接板(3)正面设正面再布线结构，转接板(3)的正面电连接点(301)位于正面再布线结构走线连接的焊盘上。
6.如权利要求1所述的快速测试晶圆电性用的转接板结构，其特征在于：
转接板(3)的正面电连接点(301)位于TSV孔(303)上方。
7.如权利要求1所述的快速测试晶圆电性用的转接板结构，其特征在于：
转接板的正面电连接点(301)和背面电连接点(302)是焊盘或者焊球。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510487383.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
