[发明专利]一种基于多曝光程序的多硅片循环运动方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体光刻工艺技术领域，涉及一种基于多曝光程序的多硅片循环运动方法。

背景技术

在半导体技术中，光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。光刻使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光，在硅片表面形成三维图形。

光刻中一个重要的性能指标是每个图形的分辨率。为了提高分辨率，更先进的浸润式光刻得以发展。在传统的光刻技术中，光刻机投影镜头与硅片上的光刻胶之间的介质是空气。

浸润式光刻是指在光刻机投影镜头与硅片之间用一种液体充满，从而获得更好的分辨率及增大镜头的数值孔径，进而实现更小曝光尺寸的一种新型光刻技术。浸润式光刻技术利用了光通过液体介质后光源波长缩短的原理来提高分辨率，其缩短的倍率即为液体介质的折射率。目前，主流的液体介质是超纯水(Ultra pure water，UPW)，使用超纯水作为浸润介质的浸润式光刻，可将投影光源的波长缩短约1.4倍(水的折射率约为1.4)，分辨率比传统的光刻技术得到明显提高。

但因为引入了液体介质，导致浸润式光刻会带来更多特有的缺陷，影响产品良率。在现有技术中，多硅片循环运动MLET(Multiple Lot Endurance Test)是浸没式光刻机对硅片进行的曝光循环运动，目的是用多硅片循环运动带走超纯水中的微粒，通过带走超纯水中的微粒对浸没式光刻机的缺陷控制和改善有至关重要的作用。

目前，如图1所示，一般情况下，绝大部分的曝光文件只有单个曝光程序，即单个曝光影像，硅片只曝光一个循环。如图2所示，如果采用多曝光程序，那么硅片曝光就会多次循环，循环次数和曝光程序的数量一致，采用这种方式进行曝光，可以实现MLET不断循环曝光的效果。

业界的通常做法是将硅片盒内的各枚硅片依次传送至载片台，经过一轮曝光后再传回硅片盒，当一盒硅片盒的硅片轮序曝光完成后，再重新从硅片盒内的第一枚硅片开始循环。该做法具有两个缺陷：1.耗费机台时间，由于需要将硅片盒内的硅片逐次传送至硅片载片台，因此，需要大量时间消耗在硅片传送上，降低了机台的使用效率；2.带走微粒的效果较差，由于硅片经过一轮曝光，传回硅片盒后，在进行下一轮硅片曝光时，重新对该硅片进行曝光，而此时硅片本身已经带有微粒，经过多轮曝光后，硅片本身的微粒越积越多，导致带走微粒的效果较差。

因此，本领域技术人员亟需提供一种基于多曝光程序的多硅片循环运动方法，不仅节约机台时间，同时可以更好的带走超纯水中的微粒。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基于多曝光程序的多硅片循环运动方法，不仅节约机台时间，同时可以更好的带走超纯水中的微粒。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种基于多曝光程序的多硅片循环运动方法，包括以下步骤：

步骤S01、将硅片盒内的单枚硅片传送至硅片载片台；

步骤S02、对传送至硅片载片台上的硅片进行预设轮数的循环曝光，其中，循环曝光的轮数至少为2轮，且循环曝光的轮数与曝光程序中的曝光影像的数量相等；

步骤S03、将循环曝光后的硅片传回至硅片盒；

步骤S04、将硅片盒内的下一枚硅片传送至硅片载片台，并对其进行预设轮数的循环曝光，然后将循环曝光后的硅片传回至硅片盒，如此重复，直至硅片盒内的硅片全部完成循环曝光。

优选的，对硅片的曝光面积减少至预设面积。

优选的，不同曝光影像的曝光区域的面积大小不一致。

优选的，所述步骤S02中，对传送至硅片载片台上的硅片进行循环曝光的轮数为8～15轮。

优选的，所述步骤S02中，对传送至硅片载片台上的硅片进行循环曝光的轮数为12轮。

与现有的方案相比，本发明提供的基于多曝光程序的多硅片循环运动方法，通过改变硅片的循环曝光顺序，减少了硅片传送占用机台的时间，同时具有更好的带走超纯水中微粒的效果，使超纯水中的微粒聚集在单枚硅片上至饱和状态，更换下一枚硅片继续循环，使超纯水中的微粒越来越少；同时，通过减少硅片的曝光面积，可以减少各曝光影像所产生的平坦度结果文件的大小，解决了由于平坦度结果文件过大而导致机台宕机的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中硅片单个曝光影像的示意图；