[发明专利]基板液体处理装置和基板液体处理方法有效
申请号: | 201510490201.9 | 申请日: | 2015-08-11 |
公开(公告)号: | CN105374712B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 佐藤秀明;原大海;金振铉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 处理 装置 方法 | ||
提供能够良好地对基板进行液体处理的基板液体处理装置和基板液体处理方法。在本发明中,基板液体处理装置(1)具有:液体处理部(3),其利用处理液对基板(2)进行处理;处理液供给部(4),其供给上述处理液;以及稀释液供给部(5),其供给用于稀释上述处理液的稀释液,该基板液体处理装置(1)检测上述处理液的浓度和大气压,控制从上述稀释液供给部(5)供给的上述稀释液的量,使得检测出的上述处理液的浓度成为预先设定的浓度(设定浓度),并且根据检测出的大气压来校正上述设定浓度。
技术领域
本发明涉及一种使用处理液对基板进行液体处理的基板液体处理装置、基板液体处理方法以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质。
背景技术
以往,在制造半导体部件、平板显示器等时,使用基板液体处理装置并使用蚀刻液等处理液对半导体晶圆、液晶基板等基板实施蚀刻等处理。
例如,在专利文献1中公开的基板液体处理装置中,使基板浸渍在贮存于处理槽的处理液(蚀刻液:磷酸水溶液)中,来进行对形成于基板的表面的氮化膜进行蚀刻的处理。
在该基板液体处理装置中,作为处理液使用利用纯水将磷酸稀释成规定的浓度而得到的磷酸水溶液。而且,在基板液体处理装置中,在使磷酸水溶液成为规定的浓度时,将利用纯水稀释磷酸而得到的磷酸水溶液加热至规定的温度来使之沸腾,使磷酸水溶液的浓度成为该温度(沸点)下的浓度。
专利文献1:日本特开2013-93478号公报
发明内容
对基板进行处理的处理液的浓度受大气压的影响。例如,当大气压降低时,处理液的沸点降低,从而被加热至高于处理液的沸点的温度,因此导致处理液中的稀释液(在此为纯水)的蒸发量增加,从而处理液的浓度增加。因此,为了使对基板进行处理的处理液的浓度固定,需要对处理液供给更多的稀释液。
然而,存在如下担忧:当增大稀释液的供给量时,导致稀释液过度沸腾,从而变得无法良好地对基板进行液体处理。
因此,在本发明中,基板液体处理装置具有:液体处理部,其利用处理液对基板进行处理;处理液供给部,其供给上述处理液;稀释液供给部,其供给用于稀释上述处理液的稀释液;控制部,其控制上述稀释液供给部;浓度检测部,其检测上述处理液的浓度;以及大气压检测部,其检测大气压,其中,上述控制部获取来自上述浓度检测部和上述大气压检测部的信号,控制从上述稀释液供给部供给的上述稀释液的量,使得获取到的上述处理液的浓度成为预先设定的浓度即设定浓度,并且根据获取到的大气压来校正上述设定浓度。
另外,上述处理液供给部构成为,通过使上述处理液在规定温度下沸腾来将上述处理液的浓度设为上述规定温度下的浓度,并将该处理液供给到上述液体处理部,上述控制部将上述设定浓度设为预先设定的大气压下的上述规定温度时的浓度。
另外,上述控制部将上述设定浓度校正为与获取到的大气压下的上述处理液的沸点对应的上述处理液的浓度。
另外,将同一大气压下沸点比上述处理液的沸点低的液体用作上述稀释液。
另外,上述控制部在校正了上述设定浓度的情况下,根据校正后的浓度来变更通过上述液体处理部对上述基板进行处理的时间。
另外,在本发明的基板液体处理方法中,检测大气压和对基板进行处理的处理液的浓度,利用稀释液来稀释上述处理液使得检测出的上述处理液的浓度成为预先设定的浓度即设定浓度,并对上述基板进行处理,根据检测出的大气压来校正上述设定浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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