[发明专利]闪存器件的形成方法

权利要求书

1.一种闪存器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供基片，所述基片上依次形成有第一介质层、浮栅层、第二介质层、控制栅层及第三介质层，所述第三介质层设有沟槽，所述沟槽暴露出所述控制栅层的表面，所述沟槽的侧壁表面形成有第四介质层；

刻蚀所述控制栅层，暴露出所述第二介质层；

在控制栅层侧壁的表面依次形成氧化层和侧墙，所述侧墙紧贴所述第四介质层的侧壁表面；

在所述侧墙的表面形成第六介质层；

依次刻蚀所述第六介质层、第二介质层及浮栅层，暴露出所述第一介质层，并保留部分第六介质层位于所述侧墙的表面；

同时刻蚀去除保留的第六介质层、位于浮栅层拐角处的第二介质层及暴露出的第一介质层，暴露出所述基片的表面。

2.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除保留的第六介质层及位于浮栅层拐角处的第二介质层之后，在所述侧墙、浮栅层侧壁及基片表面重新生长第七介质层。

3.如权利要求2所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内填充形成字线。

4.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅；第二介质层为氧化硅/氮化硅/氧化硅的复合层；第三介质层为氮化硅；第四介质层的材质为氧化硅。

5.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述浮栅层和控制栅层的材质为多晶硅。

6.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙材质为氮化硅。

7.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第六介质层为氧化硅。

8.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，在同一设备机台中一次性刻蚀所述第六介质层、第二介质层及浮栅层。

9.如权利要求1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，在不同机台中分别刻蚀所述第六介质层、第二介质层及浮栅层。