[发明专利]闪存器件的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存器件的形成方法。

背景技术

闪存以其便捷、存储密度高、可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机、笔记本、掌上电脑和u盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。

请参考图1至图6，图1至图6为现有技术中闪存形成过程中的部分结构示意图，具体的，闪存形成步骤包括：

提供基片10，所述基片10上依次形成有第一介质层21、浮栅层31、第二介质层22、控制栅层32及第三介质层23，其中，所述第三介质层23设有沟槽，所述沟槽暴露出所述控制栅层32的表面，所述沟槽的侧壁表面形成有第四介质层24，如图1所示；

刻蚀所述控制栅层32，暴露出所述第二介质层22，如图2所示；

在控制栅层32侧壁的表面形成氧化层(图未标号)接着，在所述第四介质层24及氧化层的表面形成侧墙25，如图3所示；

刻蚀所述第二介质层22及浮栅层31，暴露出所述第一介质层21，如图4所示；

使用磷酸刻蚀去除部分侧墙25，暴露出所述浮栅层31拐角的表面上的第二介质层22，如图5所示；

预刻蚀去除位于浮栅层31拐角的表面上的第二介质层22及暴露出的第一介质层21，便于后续重新生长介质层，并生长字线。

然而，在使用磷酸对侧墙25进行回刻蚀时，会将整个晶圆放置在磷酸的容器中，会对器件造成一定的损害，导致缺陷的产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存器件的形成方法，能够避免使用磷酸浸泡，确保闪存器件的性能。

为了实现上述目的，本发明提出了一种闪存器件的形成方法，包括步骤：

提供基片，所述基片上依次形成有第一介质层、浮栅层、第二介质层、控制栅层及第三介质层，所述第三介质层设有沟槽，所述沟槽暴露出所述控制栅层的表面，所述沟槽的侧壁表面形成有第四介质层；

刻蚀所述控制栅层，暴露出所述第二介质层；

在控制栅层侧壁的表面依次形成氧化层和侧墙，所述侧墙紧贴所述第四介质层的侧壁表面；

在所述侧墙的表面形成第六介质层；

依次刻蚀所述第六介质层、第二介质层及浮栅层，暴露出所述第一介质层，并保留部分第六介质层位于所述侧墙的表面；

同时刻蚀去除保留的第六介质层、位于浮栅层拐角处的第二介质层及暴露出的第一介质层，暴露出所述基片的表面。

进一步的，在所述的闪存器件的形成方法中，在刻蚀去除保留的第六介质层及位于浮栅层拐角处的第二介质层和第一介质层之后，在所述侧墙及浮栅层侧壁和基片表面重新生长第七介质层。

进一步的，在所述的闪存器件的形成方法中，在所述沟槽内填充形成字线。

进一步的，在所述的闪存器件的形成方法中，所述第一介质层为氧化硅；第二介质层为氧化硅/氮化硅/氧化硅复合层；第三介质层为氮化硅；第四介质层的材质为氧化硅。

进一步的，在所述的闪存器件的形成方法中，所述浮栅层和控制栅层的材质为多晶硅。

进一步的，在所述的闪存器件的形成方法中，所述侧墙材质为氮化硅。

进一步的，在所述的闪存器件的形成方法中，所述第六介质层为氧化硅。

进一步的，在所述的闪存器件的形成方法中，在同一设备机台中一次性刻蚀所述第六介质层、第二介质层及浮栅层。

进一步的，在所述的闪存器件的形成方法中，在不同机台中分别刻蚀所述第六介质层、第二介质层及浮栅层。

与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：形成较薄的侧墙之后，接着在侧墙上形成第六介质层，接着依次刻蚀第六介质层、第二介质层及浮栅层，保留部分第六介质层位于侧墙的表面，此时刻蚀不再使用磷酸浸泡，避免了磷酸浸泡造成的器件问题。

附图说明

图1至图6为现有技术中闪存形成过程中的部分结构示意图；

图7为本发明一实施例中闪存器件的形成方法的流程图；

图8至图14为本发明一实施例中闪存形成过程中的结构示意图。

具体实施方式