[发明专利]形成用于半导体装置的接点结构的方法及生成的装置

权利要求书

1.一种形成接点结构在晶体管装置的源极/漏极区域的方法，该晶体管装置包括栅极结构及位在该栅极结构上方的栅极覆盖层，该方法包括：

形成传导耦接该源极/漏极区域的延伸高度外延接点结构，该延伸高度外延接点结构包括位在该栅极覆盖层的上表面的高度水平上方的高度水平处的上表面；

执行至少一道蚀刻工艺以缩减至少部分该延伸高度外延接点结构的侧向宽度，其中，缩减的延伸高度外延接点结构的上表面的高度水平是在该栅极覆盖层的该高度水平上方；

在执行该至少一道蚀刻工艺之后，形成金属硅化物材料在至少部分该缩减的延伸高度外延接点结构上；以及

形成传导接点在该金属硅化物材料上。

2.根据权利要求1所述的方法，更包括：

形成在绝缘材料层内的接点开孔以曝露该源极/漏极区域，其中，该栅极结构由该绝缘材料层所覆盖，使得该绝缘材料层形成在该栅极覆盖层和该源极/漏极区域的上方；以及

通过该绝缘材料层形成该延伸高度外延接点结构在该接点开孔内。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，部分该金属硅化物材料是水平地邻接该绝缘材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行该至少一道蚀刻工艺包括凹陷邻接该延伸高度外延接点结构的绝缘材料层，其中，该栅极结构由该绝缘材料层所覆盖，使得该绝缘材料层形成在该栅极覆盖层和该源极/漏极区域的上方，因而曝露部分该延伸高度外延接点结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该延伸高度外延接点结构包括：

形成该延伸高度外延接点结构的第一部分在该源极/漏极区域上；

形成间隔层在该延伸高度外延接点结构的该第一部分上方；以及

形成该延伸高度外延接点结构的第二部分邻接至该第一部分上的该间隔层。

6.根据权利要求5所述的方法，更包括移除该间隔层，从而定义间隔层凹穴，其中，形成该金属硅化物材料包括形成该金属硅化物材料在该间隔层凹穴内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该源极/漏极区域是具有第一侧向宽度的提升的源极/漏极区域，该缩减的延伸高度外延接点结构的该上表面具有第二侧向宽度，且该缩减的延伸高度外延接点结构包括分别具有第一和第二垂直高度的第一和第二侧壁部分，该第二侧向宽度及该第一和第二垂直高度的组合长度定义该缩减的延伸高度外延接点结构的接点长度，且该接点长度大于该第一侧向宽度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，该源极/漏极区域是具有第一侧向宽度的提升的源极/漏极区域，该缩减的延伸高度外延接点结构的该上表面具有第二侧向宽度，且该缩减的延伸高度外延接点结构包括第一和第二侧壁部分以及第一和第二水平表面部分，该第一和第二水平表面部分位在低于该缩减的延伸高度外延接点结构的该上表面的该高度水平的高度水平，该第一和第二侧壁部分分别具有第一和第二垂直高度且该第一和第二水平表面部分分别具有第三和第四侧向宽度，其中，该第二、第三和第四侧向宽度及该第一和第二垂直高度的组合长度定义该缩减的延伸高度外延接点结构的接点长度，且该接点长度大于该第一侧向宽度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，该第一和第二水平表面部分的该高度水平是位于该栅极覆盖层的该高度水平的下方。

10.一种形成半导体装置的方法，包括：

形成第一外延半导体材料在半导体装置的源极/漏极区域内，该第一外延半导体材料在本身的上表面处包括第一侧向宽度；

形成延伸高度外延接点结构在该第一外延半导体材料上，该延伸高度外延接点结构包括上表面及第一与第二侧表面，所有三个表面共同地定义出该延伸高度外延接点结构的接点长度，且该接点长度大于该第一侧向宽度；以及

形成金属硅化物区域在该延伸高度外延接点结构的该上表面及该第一与第二侧表面上。