[发明专利]光刻生产控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻机领域，特别涉及一种光刻生产控制方法。

背景技术

在半导体制造领域中，光刻是至关重要的一环，它是将掩模版上的电路图形转移到晶圆基底的过程，通常由光刻机来完成这一过程。光刻机由涂胶显影机(Track)和曝光机(Scanner)两部分构成，晶圆(wafer)在涂胶显影机里完成涂胶后，经过一定的后处理，被送到曝光机内进行曝光，之后，完成曝光的晶圆被送回涂胶显影机进行显影，两部分机器有各自的作业条件，通常来说这些条件是一一对应的。

如图1所示，涂胶显影机中光刻胶瓶10与终端的光刻胶喷嘴之间由管路连接，管路上设置有阀门50、泵30、过滤器40以及用来暂存光刻胶的L/E tank(缓冲容器)20。在实际的生产过程中，光刻胶属于易耗品，如图2所示，现有的光刻机的涂胶显影流程为：创建涂胶显影作业，执行涂胶显影作业，并在涂胶显影作业过程中检查是否遇到光刻胶不足的情况。当L/E tank 20中的光刻胶的量小于预设值时，涂胶显影机将触发报警，提示相关人员及时更换光刻胶。遇到正在作业的晶圆需要用到的光刻胶不足，那么涂胶显影机会停止作业，直至完成光刻胶的更换，再进行曝光以及后续作业。在这期间，整个光刻机的产能受到了影响，无法进行其他作业，如果更换光刻胶的人员没有及时发现，这种影响将更大。

发明内容

本发明提供一种光刻生产控制方法，该方法可以使光刻机在光刻胶不足时，能够在不影响当前作业晶圆的情况下对后续晶圆继续作业，从而使光刻机能够连续不中断地工作，从而提高光刻机整体的产能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻生产控制方法，包括：步骤1：创建涂胶显影作业，涂胶显影作业包括：涂胶、曝光和显影；步骤2：执行涂胶作业；步骤3：检测判断涂胶作业是否遇到光刻胶不足，若遇到光刻胶不足，则报警提示更换光刻胶，进入步骤4，若光刻胶充足，则直接进入步骤5；步骤4：换胶前：缓存当前批次晶圆的涂胶显影作业进度，并寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，进行涂胶显影作业；换胶后：载入换胶前缓存的涂胶显影作业进度，返回步骤3；步骤5：将曝光条件与涂胶显影作业对应；步骤6：执行曝光作业和后续显影作业。

作为优选，所述步骤4中，换胶前的步骤包括：步骤411：停止当前批次晶圆的载入，缓存该批次晶圆的涂胶显影作业进度；步骤412：将当前批次中已完成涂胶作业的晶圆进行曝光，缓存当前批次未完成的曝光作业进度；步骤413：寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，并对寻找到的晶圆执行涂胶显影作业。

作为优选，所述步骤4中，换胶后的步骤包括：步骤421：从涂胶显影机的软件缓存区载入涂胶显影作业进度；步骤422.继续执行晶圆的涂胶作业；步骤423：从曝光机的软件缓存区中载入曝光作业进度，恢复曝光作业；步骤424：返回步骤3。

作为优选，每批次晶圆中均设置有与该批次晶圆的涂胶显影作业对应的代码，步骤413中，通过比对代码寻找涂胶显影作业条件与当前批次不一致的晶圆，这样保证了后续批次的晶圆都是不需要使用当前已不足的光刻胶。

作为优选，步骤1中，创建涂胶显影作业的同时创建与该涂胶显影作业相对应的序列号；在执行涂胶显影作业过程中，通过该序列号将曝光机中的曝光作业与涂胶显影机中的涂胶和显影作业相匹配。

作为优选，采用感应器检测判断步骤3中的涂胶显影作业是否遇到光刻胶不足。

作为优选，所述感应器位于光刻胶瓶内部或者缓冲容器上。

本发明还提供另外一种光刻生产控制方法，应用于专门负责涂布光刻胶的机器中，该方法具体包括：步骤1：创建涂胶作业；步骤2：执行涂胶作业；步骤3：检测判断涂胶作业是否遇到光刻胶不足，若遇到光刻胶不足，则报警提示更换光刻胶，进入步骤4，若光刻胶充足，则直接进入步骤5；步骤4：换胶前：缓存当前批次晶圆的涂胶作业进度，并寻找光刻机中其他批次的晶圆，执行涂胶作业；换胶后：载入换胶前缓存的涂胶作业进度，进入步骤5；步骤5：继续执行涂胶作业。

作为优选，采用感应器检测判断步骤3中的涂胶作业是否遇到光刻胶不足。

作为优选，所述感应器位于光刻胶瓶内部或者缓冲容器上。