[发明专利]一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法

权利要求书

1.一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法，包括：

步骤1：提供一个具有第一掺杂类型的半导体衬底；

步骤2：在所述半导体衬底上且介于源区与漏区之间定义∑型凹槽开口区域，通过2步刻蚀工艺在该区域形成∑型凹槽，并在所述半导体衬底上形成具有第二掺杂类型的源区和漏区；

所述2步刻蚀工艺包括干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺为采用HBr和O₂的混合气体作为刻蚀气体的等离子体多晶硅刻蚀技术；所述湿法刻蚀工艺采用浓度为2.38％至25％的四甲基氢氧化铵水溶液或硝酸、氢氟酸和水的混合溶液作为刻蚀剂；

步骤3：在所述∑型凹槽的表面形成栅介质层，所述栅介质层的高度位于源区和漏区的底部之上、表面之下；

步骤4：在形成有栅介质层的∑型凹槽中淀积具有第一掺杂类型的半浮栅，在所述半浮栅靠近所述源区的一侧刻蚀形成有一个缺口，所述缺口的底部高于所述源区和漏区的底部且不高于所述栅介质层的顶部；

步骤5：在所述源区、半浮栅以及漏区表面上待形成金属控制栅的区域形成绝缘介质层；

步骤6：在所述绝缘介质层上栅形成金属控制栅和栅极侧墙；

步骤7：在所形成的栅极侧墙的两侧进行源、漏刻蚀与外延工艺，以形成源、漏接触区；

步骤8：在上述器件表面淀积层间介质材料，并在所形成的层间介质材料中形成接触孔，并形成源电极、漏电极和栅电极。

2.如权利要求1所述的一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅或者绝缘体上硅中的任意一种。

3.如权利要求1所述的一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法，其特征在于，所述第一种掺杂类型为N型，所述第二种掺杂类型为P型；或者，所述第一种掺杂类型为P型，所述第二种掺杂类型为N型。

4.如权利要求1所述的一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法，其特征在于，所述栅介质层为氧化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法，其特征在于，采用快速热处理工艺和/或垂直炉管工艺制备所述栅介质层；所述快速热处理工艺包括原位水蒸汽氧化方法和/或快速热氧化工艺。

6.如权利要求1所述的一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法，其特征在于，所述绝缘介质层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或者多种。

7.如权利要求1所述的一种∑型结构的半浮栅器件的制造方法，其特征在于，所述源、漏接触区为在源区和漏区内形成的锗化硅或者碳化硅外延材料。